[发明专利]烧结体、包含该烧结体的磁记录膜形成用溅射靶

说明书

技术领域

本发明涉及烧结体，且涉及在磁记录介质的磁性体薄膜、特别是采用垂直磁记录方式的硬盘的磁记录层的成膜中使用的、可用于形成磁记录膜的烧结体、包含该烧结体的溅射靶。

以往，在使用由含有氧化硼的烧结体制作的靶进行溅射时，由于在烧结时或烧结后氧化硼粒子变得粗大，因此存在的问题是在溅射时经常发生粉粒的产生。

本申请发明涉及能够解决此类问题的烧结体和包含该烧结体的溅射靶。

背景技术

在硬盘驱动器所代表的磁记录领域中，作为担负记录的磁性薄膜的材料，一直使用以强磁性金属Co、Fe或Ni作为基体的材料。例如在采用面内磁记录方式的硬盘的记录层中，一直使用以Co作为主要成分的Co-Cr基或Co-Cr-Pt基强磁性合金。

另外，在采用近年来已实用化的垂直磁记录方式的硬盘的记录层中，多使用包含以Co作为主要成分的Co-Cr-Pt基强磁性合金和非磁性无机物的复合材料。

而且，从生产率高的方面而言，硬盘等磁记录介质的磁性薄膜大多使用以上述材料作为成分的强磁性材料溅射靶进行溅射来制作。另外，在这样的磁记录膜用溅射靶中，为了使合金相磁分离，进行氧化硼的添加。

作为强磁性材料溅射靶的制作方法，可考虑熔炼法、粉末冶金法。采用何种方法进行制作，取决于所要求的特性，因此不可一概而论，但垂直磁记录方式的硬盘的记录层中所使用的包含强磁性合金和非磁性无机物粒子的溅射靶一般通过粉末冶金法来制作。这是因为，由于需要使氧化硼等无机物粒子均匀地分散在合金基质中，因此难以利用熔炼法来制作。

另一方面，如果检索在磁记录介质中添加氧化硼的公知文献，则可以列举下述专利文献。

下述专利文献1中记载了“一种磁记录介质，其具有磁数据记录层，其中，所述磁数据记录层含有：第一合金，其具有至少0.5×10⁷erg/cm³(0.5/Jcm³)的磁各向异性常数；以及氧化物，其由氧和至少一种元素具有负的还原电位的一种以上元素构成”(权利要求1)。

而且，在该专利文献1的权利要求6中记载了“一种磁记录介质，其特征在于，所述氧化物中的一种以上元素中的至少一个选自由锂(Li)、铍(Be)、硼(B)、钠(Na)、镁(Mg)、铝(Al)、硅(Si)、钾(K)、钙(Ca)、钪(Sc)、钛(Ti)、钒(V)、铬(Cr)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、锌(Zn)、镓(Ga)、铷(Rb)、锶(Sr)、钇(Y)、锆(Zr)、铌(Nb)、镉(Cd)、铟(In)、铯(Cs)、钡(Ba)、镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钐(Sm)、铕(Eu)、铽(Tb)、钆(Gd)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)、铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铅(Pb)、钍(Th)和铀(U)组成的组”，且这些材料为溅射靶。

上述记载的大量的氧化物中虽然也有氧化硼的记载，但是关于靶中氧化硼的存在的问题、该问题的解决方法完全没有记载。

下述专利文献2的权利要求1中记载了“一种靶，其用于通过溅射法来形成磁记录介质的Co基磁性层，其特征在于，所述靶含有5摩尔％以上的Cr或Cr合金，含有5摩尔％以上的CoO，含有合计在3摩尔％～20摩尔％的范围内的熔点为800℃以下的氧化物，孔隙率为7％以下”，该专利文献2的权利要求4中记载了“如权利要求1～3中任一项所述的靶，其特征在于，熔点为800℃以下的氧化物为选自氧化硼、氧化钒、氧化碲、氧化钼、低熔点玻璃中的至少一种”。

在这种情况下，也与上述文献1相同，关于烧结体或包含烧结体的靶中氧化硼的存在的问题、该问题的解决方法完全没有记载。

在下述专利文献3中记载了“一种溅射靶，其为包含Cr为20摩尔％以下，其余为Co的强磁性合金和非金属无机材料的烧结体溅射靶，其特征在于，所述非金属无机材料所占的体积率为40体积％以下，且所述非金属无机材料至少含有钴氧化物和硼氧化物。一种溅射靶用烧结体的制造方法，其中，将金属粉末和至少含有钴氧化物和硼氧化物的非金属无机材料粉末粉碎、混合而得到混合粉末，将该混合粉末在保持温度为800℃以下的条件下通过加压烧结装置进行成型、烧结“(摘要)。

在这种情况下，也与上述文献1、2相同，虽然记载了含有“硼氧化物”，但是关于靶中氧化硼的存在的问题、该问题的解决方法完全没有记载。