[发明专利]半导体辐射探测器

权利要求书

1.一种用于探测辐射的探测器，所述探测器(6、106、206、306、406)包括：

-阳极(10、110、210、410)、阴极(8、108、208、408)以及用于将辐射(4、304)转换成电子和空穴的中间直接转换材料(9、109、209、409)，其中，所述电子能由所述阳极(10、110、210、410)来收集，

-探测信号生成器(11、111、211、411)，其用于取决于收集到的电子来生成探测信号，

-照射器，其用于利用为宽带可见光和/或宽带红外光的照射光(115、215、315、415)来照射所述直接转换材料(9、109、209、409)，

所述探测器的特征在于，所述探测器还包括极化程度确定单元(325)，所述极化程度确定单元用于确定指示所述直接转换材料的极化的程度的极化程度值，其中，所述照射器适于取决于所述极化程度值来照射所述直接转换材料。

2.如权利要求1所述的探测器，其中，所述照射器和所述阴极(8、108、208)适于使得所述直接转换材料(9、109、209)被利用所述照射光(115、215、315)通过所述阴极(8、108、208)来照射。

3.如权利要求1所述的探测器，其中，所述照射器包括是散射元件和/或衍射元件的光分布元件，所述散射元件和/或所述衍射元件用于在所述照射光(215、115)穿过所述阴极(208、108)之前对所述照射光进行散射和/或衍射。

4.如权利要求3所述的探测器，其中，所述直接转换材料(109)包括入射表面(117)，要被探测的所述辐射通过所述入射表面进入所述直接转换材料(109)，其中，所述照射器包括用于提供所述照射光(115)的光源，其中，所述光分布元件和所述光源适于使得所述照射光(115)被耦合到所述光分布元件中，并且所述光源被布置在所述入射表面(117)的旁边使得所述光源不阻止要被探测的所述辐射到达所述直接转换材料(109)，其中，所述光分布元件包括用于将光朝向所述阴极(108)耦合出所述光分布元件的光学结构(114)，其中，所述阴极(108)包括开口(116)，并且其中，所述光分布元件和所述阴极(108)适于使得所述光分布元件的所述光学结构(114)和所述阴极(108)的所述开口(116)彼此对齐。

5.如权利要求1所述的探测器，其中，所述直接转换材料(9)包括入射表面(17)，所述辐射(4)通过所述入射表面进入所述直接转换材料(9)，其中，所述阴极(8)被布置在所述入射表面(17)上，并且其中，所述照射器包括在所述阴极(8)上的光源，所述光源对于要被探测的所述辐射(4)是透明的。

6.如权利要求1所述的探测器，其中，所述照射器是单独的元件，使得所述照射器能相对于所述阳极、所述阴极以及所述直接转换材料移动。

7.如权利要求1所述的探测器，其中，所述照射器适于以强度调制模式来照射所述直接转换材料。

8.如权利要求1所述的探测器，其中，所述照射器适于取决于所生成的探测信号来照射所述直接转换材料。

9.如权利要求1所述的探测器，其中，所述极化程度确定单元适于测量电子从所述阴极移动到所述阳极所需要的时间，并且适于取决于测得的时间来确定所述极化程度值。

10.一种用于生成目标的投影数据的投影数据生成系统，所述系统包括：

-辐射源，其用于提供用于穿过所述目标的辐射(4、304)，

-如权利要求1所述的探测器(6、106、206、306、406)，其用于在所述辐射(4、304)已经穿过所述目标之后探测所述辐射，用于取决于探测到的辐射(4、304)来生成探测信号，并且用于取决于所生成的探测信号来生成所述投影数据。