[发明专利]半导体辐射探测器有效

专利信息
申请号: 201480011455.1 申请日: 2014-02-28
公开(公告)号: CN105026958B 公开(公告)日: 2019-05-31
发明(设计)人: F·韦尔巴凯尔;K·J·恩格尔;A·J·M·内利森;H·K·维乔雷克;E·C·E·范格鲁斯温;I·M·布勒维;R·斯特德曼布克 申请(专利权)人: 皇家飞利浦有限公司
主分类号: G01T1/24 分类号: G01T1/24
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 李光颖;王英
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 半导体 辐射 探测器
【说明书】:

发明涉及一种用于探测辐射,特别是探测在计算机断层摄影系统中使用的X射线辐射的探测器(6)。所述探测器包括用于将辐射转换成电子和空穴的直接转换材料(9),所述电子和空穴用于生成电探测信号。利用为宽带可见光和/或宽带红外光的照射光来照射所述直接转换材料,以用于减小,具体为用于消除所述直接转换材料的极化,所述极化可以发生在由要被探测的辐射穿过所述直接转换材料时,并且所述极化可以降低探测性能。通过减小所述直接转换材料的所述极化,能够提高所述探测性能。

技术领域

本发明涉及一种用于探测辐射,具体为用于探测X射线辐射或伽马辐射的探测器、探测方法以及探测计算机程序。本发明还涉及一种用于生成目标的投影数据的投影数据生成系统、投影数据生成方法以及投影数据生成计算机程序。

背景技术

US 5563421公开了一种图像捕捉面板,所述图像捕捉面板包括:具有顶表面和底表面的衬底层、邻近所述顶表面形成阵列的多个传感器、以及具有顶表面和被设置在所述传感器上的底表面的辐射敏感层,其中,第一光发射面板邻近所述辐射敏感层的所述顶表面被定位以在所述辐射敏感层上提供光辐射的第一均一样式,并且第二光发射面板邻近所述衬底层的所述底表面被定位以在所述衬底层上提供光辐射的第二均一样式。

EP 0473125 A2公开了一种用于探测高剂量辐射的辐射探测器,其中,辐射探测元件被加热或者红外射线被发射到辐射探测元件中,使得由所述辐射探测元件中的缺陷等捕获的电荷载体被激励,以便补偿在高剂量入射时发生的输出减少。

US 2010/0086098 A1公开了一种光子计数CdZnTe(CZT)像素化探测器,所述探测器包括阳极、阴极以及在所述阳极与所述阴极之间的用于将X射线辐射转换成电子和空穴的CZT晶体,其中,所述电子能由所述阳极来收集,并且取决于收集到的电子来生成探测信号。探测器的性能关键受对CZT晶体进行充电的影响,这导致内部电场抵消被施加到所述阳极和所述阴极的偏置电压。通过使用具有一个或多个特定波长的红外光来减小探测器的这种极化。

发明内容

本发明的目的是提供一种允许对极化的改进的减小的探测器、探测方法以及探测计算机程序。本发明的另外的目的是提供一种用于通过使用所述探测器来生成目标的投影数据的投影数据生成系统、投影数据生成方法以及投影数据生成计算机程序。在本发明的第一方面中,提出了一种用于探测辐射的探测器,其中,所述探测器包括:

-阳极、阴极以及用于将辐射转换成电子和空穴的中间直接转换材料,其中,所述电子能由所述阳极来收集,

-探测信号生成器,其用于取决于收集到的电子来生成探测信号,

-照射器,其用于利用为宽带可见光和/或宽带红外光的照射光来照射所述直接转换材料,

其中,所述探测器还包括极化程度确定单元,所述极化程度确定单元用于确定指示所述直接转换材料的极化的程度的极化程度值,其中,所述照射器适于取决于所述极化程度值来照射所述直接转换材料。

由于所述照射器不仅利用一个或若干特定波长的或红外的光,而且利用例如是宽带红外光的照射光来照射所述直接转换材料,因此被捕获的空穴能够在不同的陷阱能级处被直接激励。这导致通常相对缓慢地移动的空穴归因于捕获和逃逸动作而更快地移动。因此所述空穴能够更快地移动到所述直接转换材料的外面,使得空穴的净积累在所述直接转换材料中充电,并且因此能够减小所述极化,具体为能够消除或阻止所述极化。此外,所述宽带红外照射光能够使得所述直接转换材料被加热,这还能够造成减小的极化,具体为对所述极化的消除或阻止。如果使用宽带可见光,则所述照射光创建移入到所捕获的空穴的电子,其中,所述极化能够被减小,具体为通过所述电子与所述空穴的重新组合而被消除。

所述直接转换材料优选地是如CdTe晶体或CZT晶体的直接转换晶体。所述直接转换材料优选地适于将X射线辐射和/或伽马辐射转换成电子和空穴。

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