[发明专利]FePt‑C系溅射靶及其制造方法

权利要求书

1.一种FePt-C系溅射靶，其是含有Fe、Pt及C的FePt-C系溅射靶，其特征在于，

具有下述结构：在含有33原子％以上且60原子％以下的Pt、且余量由Fe及不可避免的杂质所构成的FePt系合金相中，含有不可避免的杂质的一次粒子的C彼此以不相互接触的方式分散，

所述一次粒子的平均粒径为1μm以上且30μm以下。

2.一种FePt-C系溅射靶，其是含有Fe、Pt及C，且进一步含有Fe、Pt以外的1种以上的金属元素的FePt-C系溅射靶，其特征在于，

具有下述结构：在含有33原子％以上且小于60原子％的Pt、且含有大于0原子％且20原子％以下的Fe、Pt以外的所述1种以上的金属元素、并且Pt与所述1种以上的金属元素的合计为60原子％以下、余量由Fe及不可避免的杂质所构成的FePt系合金相中，含有不可避免的杂质的一次粒子的C彼此以不相互接触的方式分散，

所述一次粒子的平均粒径为1μm以上且30μm以下。

3.如权利要求2所述的FePt-C系溅射靶，其特征在于，Fe、Pt以外的所述1种以上的金属元素为Cu、Ag、Mn、Ni、Co、Pd、Cr、V、B中的1种以上。

4.如权利要求1～3中任一项所述的FePt-C系溅射靶，其特征在于，所述C的晶体结构为非晶态结构或金刚石结构。

5.如权利要求1～3中任一项所述的FePt-C系溅射靶，其特征在于，所述C相对于靶整体的体积百分数为5体积％以上且60体积％以下。

6.如权利要求4所述的FePt-C系溅射靶，其特征在于，所述C相对于靶整体的体积百分数为5体积％以上且60体积％以下。

7.如权利要求1～3中任一项所述的FePt-C系溅射靶，其特征在于，所述C的总表面积中被所述FePt系合金相覆盖的表面积为所述C的总表面积的80％以上。

8.如权利要求4所述的FePt-C系溅射靶，其特征在于，所述C的总表面积中被所述FePt系合金相覆盖的表面积为所述C的总表面积的80％以上。

9.如权利要求5所述的FePt-C系溅射靶，其特征在于，所述C的总表面积中被所述FePt系合金相覆盖的表面积为所述C的总表面积的80％以上。

10.如权利要求6所述的FePt-C系溅射靶，其特征在于，所述C的总表面积中被所述FePt系合金相覆盖的表面积为所述C的总表面积的80％以上。

11.如权利要求1～3中任一项所述的FePt-C系溅射靶，其特征在于，所述FePt系合金相中进一步分散有氧化物相。

12.如权利要求4所述的FePt-C系溅射靶，其特征在于，所述FePt系合金相中进一步分散有氧化物相。

13.如权利要求5所述的FePt-C系溅射靶，其特征在于，所述FePt系合金相中进一步分散有氧化物相。

14.如权利要求7所述的FePt-C系溅射靶，其特征在于，所述FePt系合金相中进一步分散有氧化物相。

15.如权利要求11所述的FePt-C系溅射靶，其特征在于，所述C相对于靶整体的体积百分数为5体积％以上且小于60体积％，所述氧化物相相对于靶整体的体积百分数为3体积％以上且小于55体积％，且所述C与所述氧化物相的合计相对于靶整体的体积百分数为8体积％以上且60体积％以下。

16.如权利要求12所述的FePt-C系溅射靶，其特征在于，所述C相对于靶整体的体积百分数为5体积％以上且小于60体积％，所述氧化物相相对于靶整体的体积百分数为3体积％以上且小于55体积％，且所述C与所述氧化物相的合计相对于靶整体的体积百分数为8体积％以上且60体积％以下。

17.如权利要求13所述的FePt-C系溅射靶，其特征在于，所述C相对于靶整体的体积百分数为5体积％以上且小于60体积％，所述氧化物相相对于靶整体的体积百分数为3体积％以上且小于55体积％，且所述C与所述氧化物相的合计相对于靶整体的体积百分数为8体积％以上且60体积％以下。