[发明专利]FePt‑C系溅射靶及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及FePt-C系溅射靶及其制造方法。

现有技术

FePt合金由于通过在高温(例如600℃以上)进行热处理而可具备具有高的磁晶各向异性的fct(Ordered Face Centered Tetragonal，有序面心立方)结构，因此作为磁记录介质备受瞩目。为了使该FePt合金的薄膜中的FePt粒子小且均匀，已提出在该FePt薄膜中含有规定量的碳(C)(例如专利文献1)。

然而，专利文献1中所记载的FePtC薄膜的形成方法是使用2英寸直径的Fe靶及C靶以及长宽5mm的Pt靶，将Fe、Pt、C同时蒸镀于MgO(100)基板上的方法。该方法难以严格控制所得到的膜的组成。此外，由于需要3个靶并且需要针对各个靶的阴极、电源等，因此溅射的准备操作费事，也使装置成本变高。

相对于此，专利文献2中公开了不使用多个靶而可单独形成FePtC系薄膜的FePt-C系溅射靶及其制造方法，专利文献3中公开了不使用多个靶而可单独形成碳含量较多的FePtC系薄膜的FePt-C系溅射靶及其制造方法。

此外，专利文献4中公开了一种磁记录介质膜形成用溅射靶，其特征在于，由具有不含碳(C)而含SiO₂、且以通式：(Fe_xPt_(100-x))_(100-y)(SiO₂)_y、其中40≤x≤60(单位：摩尔％)、5≤y≤30(单位：摩尔％)表示的组成的烧结体构成，所述溅射靶的组织由SiO₂相、Fe和Pt的固溶体所构成的FePt合金相、以及使Si、O、Fe和Pt各元素在SiO₂相和FePt合金相的界面相互扩散而形成的含有Si、O、Fe和Pt的相互扩散相构成。

如上所述，已提出多个被认为可单独形成作为新的磁记录介质受到瞩目的含有FePt系合金的薄膜的溅射靶。

另一方面，溅射靶一般要求溅射时产生的颗粒少，这对于认为可单独形成含有FePt系合金的薄膜的溅射靶也同样要求。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第3950838号公报

专利文献2：日本特开2012-102387号公报

专利文献3：日本特开2012-214874号公报

专利文献4：日本特开2011-208167号公报

发明内容

发明所要解决的问题

本发明鉴于上述问题而完成，其课题在于提供一种不使用多个靶、可单独形成能够作为磁记录介质使用的含有FePt系合金的薄膜，且溅射时产生的颗粒少的FePt-C系溅射靶及其制造方法。

用于解决问题的方法

本发明人为解决上述课题而进行了潜心研究开发，结果发现通过以下的FePt-C系溅射靶及其制造方法，可解决上述课题，从而完成了本发明。

即，本发明的FePt-C系溅射靶的第一方式为：一种FePt-C系溅射靶，其是含有Fe、Pt及C的FePt-C系溅射靶，其特征在于具有下述结构：在含有33原子％以上且60原子％以下的Pt且余量由Fe及不可避免的杂质所构成的FePt系合金相中，含有不可避免的杂质的一次粒子的C彼此以不相互接触的方式分散。

在此，本说明书中，记载为FePt系合金时是指含有Fe和Pt作为主成分的合金，不仅是指仅含Fe和Pt的二元系合金，也指含有Fe和Pt作为主成分、且含有Fe和Pt以外的金属元素的三元系以上的合金。此外，记载为Fe-Pt-C系溅射靶时，是指含有Fe、Pt、C作为主成分的溅射靶，也包括进一步含有作为主成分的Fe、Pt、C以外的元素的溅射靶。此外，记载为FePtC系薄膜时，是指含有Fe、Pt、C作为主成分的薄膜，也包括进一步含有作为主成分的Fe、Pt、C以外的元素的薄膜。此外，记载为FePtC系层时，是指含有Fe、Pt、C作为主成分的层，也包括进一步含有作为主成分的Fe、Pt、C以外的元素的层。