[发明专利]用于等离子体蚀刻操作的基板支撑件

权利要求书

1.一种在处理腔室中支撑基板的基板支撑件，所述基板支撑件包括：

介电绝缘体板；

导电板，所述导电板支撑于所述介电绝缘体板上，所述导电板包括具有顶边缘的顶表面及具有底边缘的底表面，所述顶表面及所述底表面限定了介于所述顶表面及所述底表面之间的厚度，其中所述导电板的边缘部分从所述底边缘朝向所述顶边缘在径向向外的方向上向上渐缩(taper)；及

介电板，所述介电板包括基板支撑件表面，所述基板支撑件表面设置在所述导电板的所述顶表面上，

其中所述导电板的所述渐缩部分位于径向超出所述基板支撑件表面的位置。

2.如权利要求1所述的基板支撑件，其中至少一部分的所述底表面是向上渐缩。

3.如权利要求2所述的基板支撑件，其中所述渐缩部分包括连接所述顶表面及所述底表面的侧壁，其中所述侧壁以从水平位置起15度至75度的角度倾斜。

4.如权利要求2所述的基板支撑件，其中所述渐缩部分包括连接所述顶表面及所述底表面的侧壁，其中所述侧壁包括一个或更多个直的或弯曲的段。

5.如权利要求1至4中任一项所述的基板支撑件，其中所述介电绝缘体板包括凹槽，所述凹槽形成于所述介电绝缘体板的顶表面，所述凹槽被配置为接收所述导电板的至少一部分，并维持与所述底表面的至少一部分接触。

6.如权利要求5所述的基板支撑件，其中所述凹槽是被配置为使得所述导电板的所述顶表面与所述介电绝缘体板的所述顶表面的一部分共面。

7.如权利要求1至4中任一项所述的基板支撑件，其中所述介电绝缘体板由石英形成。

8.如权利要求1至4中任一项所述的基板支撑件，其中所述导电板是由金属材料形成。

9.如权利要求8所述的基板支撑件，其中所述导电板是由钛形成。

10.如权利要求1至4中任一项所述的基板支撑件，其中所述导电板是由掺杂的(doped)陶瓷形成。

11.如权利要求1至4中任一项所述的基板支撑件，其中所述介电板包括升起的唇部，所述唇部具有对应至所述基板支撑件表面的内壁。

12.如权利要求1至4中任一项所述的基板支撑件，其中所述介电板包括石英或陶瓷的至少一种。

13.如权利要求1至4中任一项所述的基板支撑件，其中所述导电板是经适配以连接至射频偏压源。

14.如权利要求1至4中任一项所述的基板支撑件，所述基板支撑件进一步包括：

所述介电板中的第一定位孔；

所述导电板中的第二定位孔，所述第二定位孔与所述第一定位孔共轴；及

定位装置，所述定位装置的设置是部分穿过所述第一定位孔且部分在所述导电板内。