[发明专利]用于等离子体蚀刻操作的基板支撑件

说明书

本文公开用于处理基板的方法及装置。在某些实施方式中，用于在处理腔室中支撑基板的基板支撑件包括：介电绝缘体板；支撑于所述介电绝缘体板的导电板，所述导电板包括顶表面及底表面，所述顶表面及所述底表面限定了介于所述顶表面及所述底表面之间的厚度，其中所述导电板的边缘部分在径向向外的方向中渐缩；及介电板，所述介电板包括设置在所述导电板的所述顶表面上的基板支撑件表面。

技术领域

本发明的实施方式大致关于半导体基板处理。

背景技术

在半导体基板处理中，存在于基板上或存在于施加到基板的层上的污染物可能不利地影响后续的工艺或已完成的半导体器件的性能。污染物可包含不希望有的施加到基材的金属氧化物或工艺残留物(诸如来自蚀刻工艺的掩模残留物)。

为了去除所述污染物，基板的处理可包含非选择性的蚀刻工艺，例如，利用离子化形式惰性气体(诸如氩(argon))的蚀刻。所述蚀刻工艺可发生于腔室中，在所述腔室中惰性气体的等离子体在被基板支撑件支撑的基板的上方形成。某些情况中，所述基板支撑件耦合至偏压射频(radio frequency,RF)源以吸引氩分子朝向所述基板。

发明人观察到，在蚀刻程序中，蚀刻速度的不均匀性发生在所述基板的边缘。在某些处理状态下，所观察到的不均匀性是显著的，并且可能不利地影响被处理的所述基板。

因此，发明人设计了能够在等离子体蚀刻处理时，有助于改善蚀刻速度均匀性的基板支撑件的实施方式。

发明内容

本文公开用于处理基板的方法及设备。某些实施方式中，用以在处理腔室中支撑基板的基板支撑件包括：介电绝缘体板；支撑在所述介电绝缘体板上的导电板，所述导电板包括顶表面及底表面，所述顶表面及所述底表面限定了在所述顶表面及所述底表面之间的厚度，其中所述导电板的边缘部分在径向向外的方向上渐缩(taper)；及包括基板支撑件表面的介电板，所述基板支撑件表面设置在所述导电板的所述顶表面上。

某些实施方式中，基板处理装置包括：具有内部处理空间的处理腔室；射频(RF)线圈，所述射频线圈设置在所述处理腔室附近，以将射频能量耦合至所述处理空间中；偏压射频源；及如本文公开的任何实施方式中所描述的基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述处理空间内，其中所述导电板耦合至所述偏压射频源。

某些实施方式中，用以在处理腔室中支撑基板的基板支撑件包括：石英介电绝缘体板；被支撑在所述石英介电绝缘体板上的钛(titanium)导电板，所述导电板包括顶表面及底表面，所述顶表面及所述底表面限定了介于所述顶表面及所述底表面之间的厚度，其中所述厚度在径向向外的方向上沿着所述导电板的边缘部分渐缩；及设置在所述导电板的顶表面上的石英或陶瓷介电板，所述介电板包括升起的唇部，所述唇部具有对应于基板支撑件表面的内壁；其中所述石英介电绝缘体板包括凹槽，所述凹槽形成在所述石英介质绝缘体板顶表面中，所述凹槽被配置为接收所述导电板及维持至少与所述底表面的一部分及所述侧壁的一部分的接触。

本发明其它及进一步的实施方式在下文描述。

附图说明

以上简短概述及以下更加详细讨论的本发明的实施方式，可通过参考附图中所描绘的本发明的说明性实施方式而理解。然而应了解，附图仅说明本发明的典型实施方式，且因此不应考虑为限制本发明的范围，因为本发明可认知有其它等同效果的实施方式。

图1表示根据本发明某些实施方式的基板支撑件的侧面剖视示意图。

图2表示根据本申请某些实施方式的处理腔室内的基板支撑件示意图。

为了帮助理解，已尽可能地使用相同的元件符号以标示各图都有的相同元件。附图并非依比例绘制且为了清楚而可能简化。应考虑一个实施方式的元件及特征可有益地并入其它实施方式中而无须进一步说明。

具体实施方式