[发明专利]气体阻隔膜、气体阻隔膜的制造方法、及有机电致发光元件

权利要求书

1.一种气体阻隔膜，其具备：

基材；

硅化合物的蒸镀层，所述蒸镀层含有选自碳(C)、氮(N)及氧(O)的至少1种以上的元素、从表面向厚度方向具有连续的组成变化、且被表面处理；和

聚硅氮烷改性层。

2.根据权利要求1所述的气体阻隔膜，其中，所述蒸镀层的组成变化在距表面深度30nm的区域中为5％以上。

3.根据权利要求1所述的气体阻隔膜，其中，所述蒸镀层的组成变化在距表面深度15nm的区域中为10％以上。

4.根据权利要求1所述的气体阻隔膜，其中，所述蒸镀层通过使用了稀有气体受激准分子灯的真空紫外线照射而被改性。

5.根据权利要求1所述的气体阻隔膜，其中，所述蒸镀层在厚度方向的折射率分布中具有至少1个以上的极值。

6.一种气体阻隔膜的制造方法，其具有：

在基材上形成蒸镀层的工序；所述蒸镀层含有选自碳(C)、氮(N)及氧(O)的至少1种以上的元素、从表面向厚度方向具有连续的组成变化；

进行所述蒸镀层的表面处理的工序；和

在表面处理后的所述蒸镀层上形成聚硅氮烷改性层的工序。

7.根据权利要求6所述的气体阻隔膜的制造方法，其中，所述蒸镀层的表面处理为使用了稀有气体受激准分子灯的真空紫外线照射。

8.根据权利要求6所述的气体阻隔膜的制造方法，其中，所述形成聚硅氮烷改性层的工序具有：在所述蒸镀层涂布含有硅氮烷化合物的涂布液的工序、和将含有所述硅氮烷化合物的涂布膜进行改性处理的工序。

9.一种有机电致发光元件，其具备：

具有基材、硅化合物的蒸镀层和聚硅氮烷改性层的气体阻隔膜，所述蒸镀层含有选自碳(C)、氮(N)、及氧(O)中的至少1种以上的元素，从表面向厚度方向具有连续的组成变化，且被表面处理；

成对的电极；和

在所述电极间具有至少1层发光层的有机功能层。

10.根据权利要求9所述的有机电致发光元件，其中，所述电极的至少一者以银作为主要成分。

11.根据权利要求10所述的有机电致发光元件，其中，其通过所述基材和用密封树脂层接合于所述基材的密封部件而被固体密封。