[发明专利]气体阻隔膜、气体阻隔膜的制造方法、及有机电致发光元件在审

专利信息
申请号: 201480012546.7 申请日: 2014-03-07
公开(公告)号: CN105026141A 公开(公告)日: 2015-11-04
发明(设计)人: 井宏元 申请(专利权)人: 柯尼卡美能达株式会社
主分类号: B32B9/00 分类号: B32B9/00;H01L51/50;H05B33/02;H05B33/04;H05B33/26
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 贾成功
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 气体 阻隔 制造 方法 有机 电致发光 元件
【说明书】:

技术领域

本发明涉及气体阻隔膜、气体阻隔膜的制造方法、及使用了该气体阻隔膜的有机电致发光元件。

背景技术

利用了有机材料的电致发光(electroluminescence:以下记为EL)的有机电致发光元件(所谓有机EL元件)为在数V~数十V左右的低电压下可发光的薄膜型的完全固体元件,具有高亮度、高发光效率、薄型、轻量这样的许多优异的特征。因此,作为各种显示器的背光、标牌、应急灯等的显示板、照明光源等的面发光体、特别是在近年来具有薄型·轻量的阻隔膜的树脂基材上的OLED受到关注。

针对对于这样的阻隔膜的要求,提案有在高阻隔性和平滑性方面更适于有机EL元件的阻隔膜(例如参照专利文献1)。但是,在专利文献1中记载的方法中,用蒸镀方式形成阻隔膜。蒸镀方式这样的堆积膜在平滑性的改良方面存在极限,希望进一步的平滑性的改良技术。

另外,提案有在阻隔膜的表面导入平滑层、可兼备高阻隔性和平滑性的技术(例如参照专利文献2)。但是,在专利文献2中记载的方法中,虽然可得到平滑性,但阻隔性不充分,在有机EL元件的保存性方面存在课题。

另外,提案有对蒸镀方式的阻隔膜实施受激准分子处理、进而形成聚硅氮烷层,由此可兼备高阻隔性和平滑性的技术(例如参照专利文献3)。但是,在专利文献3中记载的方法中,存在如下课题:在有机EL元件的制作工序中,蒸镀膜和聚硅氮烷层的粘接强度降低,有机EL元件的弯曲特性变差。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2012-084353号公报

专利文献2:日本特开2008-235165号公报

专利文献3:日本特开2012-106421号公报

发明内容

发明要解决的课题

寻求如上所述气体阻隔性高、在应用于有机电致发光元件的情况下可使有机电致发光元件的可靠性提高的气体阻隔膜、及通过使用该气体阻隔膜可靠性可提高的有机电致发光元件。

为了解决上述的课题,在本发明中,提供可靠性高的气体阻隔膜、及可靠性高的有机电致发光元件。

用于解决课题的手段

本发明的气体阻隔膜具备基材、硅化合物的蒸镀层和聚硅氮烷改性层,所述蒸镀层含有选自碳(C)、氮(N)及氧(O)的至少1种以上的元素、从表面向厚度方向具有连续的组成变化,且被表面处理。

另外,本发明的气体阻隔膜的制造方法具有在基材上形成蒸镀层的工序、进行蒸镀层的表面处理的工序和在表面处理后的蒸镀层上形成聚硅氮烷改性层的工序,所述蒸镀层含有选自碳(C)、氮(N)及氧(O)的至少1种以上的元素、从表面向厚度方向具有连续的组成变化。

另外,本发明的有机电致发光元件具备上述气体阻隔膜、成对的电极和在电极间具有至少1层发光层的有机功能层。

根据本发明的气体阻隔膜及气体阻隔膜的制造方法,通过蒸镀层从表面向厚度方向具有连续的组成变化,蒸镀层的表面处理变得良好,与聚硅氮烷改性层的粘接性提高。因此,气体阻隔膜的可靠性提高。

另外,通过使用该气体阻隔膜,可构成可靠性高的有机电致发光元件。

发明的效果

根据本发明,可提供可靠性高的气体阻隔膜及可靠性高的有机电致发光元件。

附图说明

图1为表示第1实施方式的气体阻隔膜的概略构成的图。

图2为表示硅分布曲线、氧分布曲线及碳分布曲线的图。

图3为将图2中所示的碳分布曲线放大的图。

图4为表示蒸镀层的折射率分布的图。

图5为表示蒸镀层的制造装置的构成的图。

图6为表示第3实施方式的有机电致发光元件的概略构成的图。

图7为表示试样101的元素分布曲线的图。

图8为表示试样104的元素分布曲线的图。

具体实施方式

以下,对用于实施本发明的最佳方式的例子进行说明,但本发明并不限定于以下的例子。

予以说明,说明以以下的顺序进行。

1.气体阻隔膜的实施方式(第1实施方式)

2.气体阻隔膜的制造方法(第2实施方式)

3.有机电致发光元件的实施方式(第3实施方式)

<1.气体阻隔膜的实施方式(第1实施方式)>

[气体阻隔膜的构成]

对本发明的气体阻隔膜的具体的实施方式进行说明。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于柯尼卡美能达株式会社,未经柯尼卡美能达株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480012546.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top