[发明专利]具有高密度的局部互连结构的电路及其制造方法

权利要求书

1.一种具有高密度的局部互连结构的电路，包括：

根据第二栅极层与第三栅极层之间的栅极层间距来安排的第一栅极层；

安排在所述第一栅极层与所述第二栅极层之间的第一栅极定向局部互连；

安排在所述第一栅极层与所述第三栅极层之间的第二栅极定向局部互连；

配置成将所述第一栅极层耦合至所述第一栅极定向局部互连和所述第二栅极定向局部互连中的一者的扩散定向局部互连层；以及

耦合在金属层与所述第一和第二栅极定向局部互连中的所述一者之间的通孔，以通过所述第一和第二栅极定向局部互连中的所述一者和所述扩散定向局部互连层来为所述第一栅极层提供必需的偏置电压。

2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电路进一步包括连续扩散区，其中所述第一栅极层包括在所述连续扩散区中形成的具有源极/漏极端子对的阻挡晶体管的栅极，所述第一栅极定向局部互连被配置成耦合至所述漏极/源极端子对中的第一源极/漏极端子，并且所述第二栅极定向局部互连被配置成耦合至所述源极/漏极端子对中剩余的第二源极/漏极端子。

3.如权利要求2所述的电路，其特征在于，所述扩散定向局部互连层被置于所述连续扩散区的版图之外。

4.如权利要求2所述的电路，其特征在于，所述扩散定向局部互连层被置于所述连续扩散区的版图内。

5.如权利要求2所述的电路，其特征在于，所述扩散定向局部互连层被配置成将所述第一栅极定向局部互连耦合至所述第一栅极层，所述电路进一步包括耦合在第一金属层与所述第一栅极定向互连层之间的通孔以将所述阻挡晶体管的所述栅极耦合至电源节点。

6.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一栅极定向局部互连、所述第二栅极定向局部互连、和所述扩散定向局部互连各自是级2互连，所述电路进一步包括安排在所述第一级2栅极定向局部互连与所述第一源极/漏极端子之间的第一级1栅极定向局部互连以将所述第一级2栅极定向局部互连耦合至所述第一源极/漏极端子。

7.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一栅极定向局部互连、所述第二栅极定向局部互连、和所述扩散定向局部互连都包括钨。

8.如权利要求1所述的电路，其特征在于，进一步包括：

通过栅极切割层与所述第一栅极层分开的第四栅极层，其中所述第一栅极定向局部互连和所述第二栅极定向局部互连中的所述一者被配置成跨所述栅极切割层延伸；以及

配置成将所述第一栅极定向局部互连和所述第二栅极定向局部互连中的所述一者耦合至所述第四栅极层的第二扩散定向局部互连。

9.一种用于制造高密度的局部互连结构的方法，包括：

根据毗邻的第二栅极层与第三栅极层之间的栅极层间距来在半导体基板上形成第一栅极层；

在所述第一栅极层与所述第二栅极层之间形成第一栅极定向局部互连；

在所述第一栅极层与所述第三栅极层之间形成第二栅极定向局部互连；

形成扩散定向局部互连以将所述第一连接栅极的局部互连和所述第二连接栅极的局部互连中的一者耦合至所述第一栅极层；以及

形成耦合在所述第一和第二栅极定向局部互连中的所述一者与第一金属层之间的通孔，以通过所述第一和第二栅极定向局部互连中的所述一者和所述扩散定向局部互连来为所述第一栅极层提供必需的偏置电压。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：形成连续扩散区，其中形成所述第一栅极层形成在所述连续扩散区中具有漏极/源极端子对的阻挡晶体管的栅极，其中所述第一栅极定向局部互连耦合至所述漏极/源极端子对中的第一源极/漏极端子，其中所述第二栅极定向局部互连耦合至所述源极/漏极端子对中剩余的第二源极/漏极端子。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，形成所述扩散定向局部互连包括在所述连续扩散区的版图之外形成所述扩散定向局部互连。

12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，形成所述扩散定向局部互连包括在所述连续扩散区的版图内形成所述扩散定向局部互连。