[发明专利]非晶半导体量子点的金属诱导纳米晶化

权利要求书

1.一种形成结晶的半导体颗粒的方法，其包括：

在真空聚集室中形成硅(Si)、锗(Ge)和硅锗(SiGe)中任意一种的非晶半导体颗粒；

将在所述真空聚集室中形成的所述非晶半导体颗粒传送到真空沉积室中，所述真空沉积室内保持有基板；和

在所述非晶半导体颗粒仍在向所述真空沉积室中的所述基板运送的同时对所述非晶半导体颗粒施加银(Ag)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)、钯(Pd)和铜(Cu)中任意一种的金属催化剂蒸汽，以在运送中经由所述金属催化剂诱导所述非晶半导体颗粒的至少一部分的结晶化，从而将附着有所述金属催化剂的结晶的半导体颗粒沉积在所述基板上。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述非晶半导体颗粒是纳米级尺寸的非晶硅颗粒。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述金属催化剂是银(Ag)，所述非晶半导体颗粒是硅(Si)。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括以下步骤：对所述结晶的半导体颗粒进行等离子体清洁以便将所述金属催化剂基本去除。

5.如权利要求1所述的方法，其中，对所述非晶半导体颗粒施加金属催化剂蒸汽的步骤包括：通过线性磁控溅射产生所述金属催化剂蒸汽。

6.如权利要求5所述的方法，其中，产生所述金属催化剂蒸汽的步骤包括：调节线性磁控溅射的功率，从而使得在所述半导体颗粒上形成平均为所需数量的由所述金属催化剂制成的点。

7.如权利要求1所述的方法，其中，对所述非晶半导体颗粒施加金属催化剂蒸汽的步骤包括：在所述非晶半导体颗粒上形成由所述金属催化剂制成的点，从而使得各个半导体颗粒上的点的数量基本对应于所产生的各个多晶化的半导体颗粒中的晶粒的数量。

8.如权利要求1所述的方法，其中，在对所述非晶半导体颗粒施加金属催化剂蒸汽的步骤中，所述非晶半导体颗粒是多晶化的颗粒，从而在所述基板上沉积多晶化的半导体颗粒。