[发明专利]正电子发射断层摄影和/或单光子发射断层摄影探测器以及MRI系统有效
| 申请号： | 201480013997.2 | 申请日： | 2014-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN105143901B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | A·F·萨洛蒙;V·舒尔茨 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦有限公司 |
| 主分类号： | A61B5/055 | 分类号： | A61B5/055 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 李光颖;王英 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 正电子 发射 断层 摄影 光子 探测器 以及 mri 系统 | ||
1.一种成像系统，包括：
磁共振部分(104)，其产生电场；以及
第二成像部分(106)，所述第二成像部分包括：
探测器(120)，其具有探测器瓦片的二维阵列(202)，所述探测器瓦片的二维阵列具有瓦片的行和列，每个瓦片包括闪烁晶体的二维阵列，其中，沿每列的相邻瓦片由具有大约为一个瓦片的长度的长度的间隙分隔开，在所述间隙中设置有导电材料(226)，沿每行的相邻瓦片彼此邻接并且在沿所述列的相同方向上彼此偏移小于一个瓦片的长度的非零距离，并且所述导电材料形成跨列在瓦片之间对角地延伸的连续导电区域，所述导电材料屏蔽所述瓦片不受所述电场干扰。
2.根据权利要求1所述的成像系统，其中，所述非零距离大约为半个瓦片。
3.根据权利要求1所述的成像系统，还包括：
导电触点，其沿所述列与所述导电区域相互电连接。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的成像系统，其中，所述导电材料包括锡铜合金。
5.一种成像方法，包括：
利用成像系统的探测器(120)来接收辐射，所述成像系统包括产生电场的磁共振部分(104)和第二成像部分(106)，其中，所述探测器(120)包括探测器瓦片的二维阵列(202)，所述探测器瓦片的二维阵列具有瓦片的行和列，每个瓦片包括闪烁晶体的二维阵列，其中，沿每列的相邻瓦片由具有大约为一个瓦片的长度的长度的间隙分隔开，在所述间隙中设置有导电材料(226)，沿每行的相邻瓦片彼此邻接并且在沿所述列的相同方向上彼此偏移小于一个瓦片的长度的非零距离，并且所述导电材料形成跨列在瓦片之间对角地延伸的连续导电区域，所述导电材料屏蔽所述瓦片不受所述电场干扰。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述非零距离大约为半个瓦片。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，导电触点沿所述列与所述导电区域相互电连接。
8.根据权利要求5至7的任一项所述的方法，其中，所述导电材料包括锡铜合金。
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