[发明专利]正电子发射断层摄影和/或单光子发射断层摄影探测器以及MRI系统有效

专利信息
申请号: 201480013997.2 申请日: 2014-03-10
公开(公告)号: CN105143901B 公开(公告)日: 2018-11-20
发明(设计)人: A·F·萨洛蒙;V·舒尔茨 申请(专利权)人: 皇家飞利浦有限公司
主分类号: A61B5/055 分类号: A61B5/055
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 李光颖;王英
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 正电子 发射 断层 摄影 光子 探测器 以及 mri 系统
【说明书】:

一种成像系统包括产生电场的磁共振部分,以及第二成像部分,所述第二成像部分包括具有探测器瓦片的二维阵列的探测器,其中,沿轴向方向的相邻瓦片由导电材料分隔开,所述导电材料屏蔽所述瓦片不受所述电场干扰。成像系统包括具有探测器的第一成像部分,所述第一成像部分包括闪烁晶体的阵列和耦合到所述闪烁晶体的阵列的光电传感器,其中,所述光电传感器的输出包括识别每个晶体的独特的信息的比率。

技术领域

下文总体上涉及成像,并且更具体地涉及正电子发射断层摄影(PET)和/或单光子发射断层摄影(SPECT)成像,并且在本文中结合对PET/MR(磁共振)的具体应用加以描述;然而,下文还适用于PET扫描器、SPECT扫描器、PET/CT(计算机断层摄影)扫描器、SPECT/MR扫描器、SPECT/CT、SPECT/PET和/或其他基于PET和/或SPECT的扫描器。

背景技术

将正电子发射断层摄影(PET)和磁共振(MR)成像进行整合组合了PET的高敏感度功能性诊断和MR的高分辨率和组织对比度。然而,为了将这样的技术组合到单个集成扫描器中,PET部分需要对于在利用MR部分进行扫描期间由MR部分的磁体和高磁场线圈生成的高磁场是中性的。光电倍增管(PMT)通常在很大程度上受到磁场的影响,并且已经由雪崩光电二极管(APD)或硅光电二极管(SiPM)所取代。PET探测器模块对HF信号的屏蔽已经通过铜外壳来实现。遗憾的是,已经使用的铜外壳能够引起额外的吸收以及对511keV-光子的散射,由此降低敏感度和分辨率。

为了实现临床前PET或PET/MR中的高分辨率,像素化的晶体阵列已经与读出到SiPM阵列的光导进行组合,从而形成非常强大的PET探测器块。在该构思中,光导的基本功能是在SiPM阵列的规则网格上分布由晶体发出的光,这允许识别比SiPM像素小得多的晶体。遗憾的是,尤其在这样的探测器块的边缘处,均匀的光导导致不足以识别这些晶体,这导致整个PET图像分辨率的下降。另一方面,晶体与SiPM阵列像素之间的一对一(1:1)耦合要求大量通道和高密度的读出电子器件。

鉴于至少以上所述,存在对用于对PET、PET/MR和/或其他基于PET的扫描器的PET探测器进行屏蔽和/或结合PET、PET/MR和/或其他基于PET的扫描器的PET探测器实现高分辨率的其他方法的未解决的需求。

发明内容

本发明的方面解决上述提到的问题以及其他问题。

在一个方面中,一种成像系统包括:磁共振部分,其产生电场;以及,第二成像部分,其包括探测器,所述探测器具有探测器瓦片的二维阵列,其中,沿轴向方向的相邻瓦片由导电材料分隔开,所述导电材料屏蔽瓦片不受电场干扰。

在另一方面中,一种成像系统包括:第一成像部分,其具有探测器,所述探测器包括闪烁晶体的阵列以及耦合到所述闪烁晶体的阵列的光电传感器,其中,所述光电传感器的输出包括识别每个晶体的独特的信息的比率。

在另一方面中,一种方法包括对具有探测器的扫描器进行配准,所述探测器包括以下中的至少一种:探测器瓦片的二维阵列,或者闪烁晶体的阵列和具有多个传感器通道的光电传感器,其中,沿轴向方向的相邻瓦片由导电材料分隔开,所述导电材料屏蔽所述瓦片不受电场干扰,其中,所述晶体直接耦合到所述光电传感器,并且独特的触发的通道的比率识别每个晶体。

在阅读并理解下文详细描述后,本领域技术人员将认识到本发明的更进一步的方面。

本发明可以采取各种部件和部件的布置以及各种步骤和步骤的安排的形式。附图仅用于图示说明优选实施例的目的,而不应被解释为限制本发明。

附图说明

本发明可以采取各种部件和部件的布置以及各种步骤和步骤的安排的形式。附图仅用于图示说明优选实施例的目的,而不应被解释为限制本发明。

图1示意性地图示了包括PET探测器的范例性成像系统。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皇家飞利浦有限公司,未经皇家飞利浦有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480013997.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code