[发明专利]用于通信总线的容错回路

权利要求书

1.一种通信总线系统，其包括：

具有多个可隔离区段的通信总线，所述多个可隔离区段通过多个开关耦接和去耦接，所述多个开关均响应于所述通信总线的一部分上的活动性而由多个电荷泵供电或操作；以及

具有第一端口和第二端口的总线主控设备，其中所述第一端口耦接于所述通信总线的第一端，所述第二端口耦接于所述通信总线的第二端，所述总线主控设备经配置基于选择信号经由开关将所述总线主控设备的所述第一端口耦接于所述第二端口，以及将所述第一端口从所述第二端口和所述通信总线的所述第二端去耦接；

所述开关经配置响应于所述选择信号的第一状态而具有闭合状态，其中所述总线主控设备经由所述第一端口耦接于所述通信总线的所述第一端并与其通信，并且所述总线主控设备经由所述第一端口和闭合的开关耦接于所述第二端口和所述通信总线的所述第二端并与其通信；以及

所述开关经配置响应于所述选择信号的第二状态而具有断开状态，其中所述第一端口耦接于所述通信总线的所述第一端，并且所述第一端口经由断开的开关从所述第二端口和所述通信总线的所述第二端去耦接；

所述总线主控设备具有耦接于梯形电阻器的差分放大器，所述梯形电阻器将所述通信总线偏置到由所述差分放大器接收的规定的差分电压，其中，耦接于所述第一端口和所述第二端口的所述梯形电阻器在总线空闲状态时在所述通信总线上形成约0.9V，以及形成所述通信总线的终端阻抗；以及

具有耦接于所述第一端口和所述第二端口的差分输入的所述差分放大器将所述规定的差分电压转换为逻辑0或逻辑1。

2.根据权利要求1所述的通信总线系统，还包括：

沿所述通信总线耦接的多个总线从控设备，所述多个总线从控设备中的每个总线从控设备具有所述多个开关中的一个，其中，所述多个开关中的所述一个的第一端子耦接于所述通信总线的第一可隔离区段而所述多个开关中的所述一个的第二端子耦接于所述通信总线的第二可隔离区段。

3.根据权利要求1所述的通信总线系统，其中，所述总线主控设备通过所述开关耦接于所述通信总线的每条导线。

4.根据权利要求1所述的通信总线系统，还包括：

沿所述通信总线耦接的多个总线从控设备，所述多个总线从控设备中的每个总线从控设备经配置接收来自耦接所述从控设备的所述区段中的两个区段中的任一个的通信，而不管所述区段中的所述两个区段是否被所述从控设备彼此去耦接。

5.根据权利要求1所述的通信总线系统，还包括：

在所述总线主控设备从所述通信总线的所述第二端去耦接时，所述总线主控设备经配置经由所述通信总线的所述第一端与多个总线从控设备中的第一总线从控设备通信；以及

在所述总线主控设备耦接于所述通信总线的所述第二端时，所述总线主控设备经配置经由所述通信总线的所述第二端与多个总线从控设备中的第二总线从控设备通信，而不管所述通信总线是否在所述多个总线从控设备的所述第一总线从控设备与所述多个总线从控设备的所述第二总线从控设备之间中断。

6.根据权利要求1所述的通信总线系统，其中，所述通信总线系统包括：

耦接于所述通信总线的多个总线从控设备，所述多个总线从控设备中的每个总线从控设备具有耦接于所述通信总线的所述可隔离区段的背对背P型金属氧化物半导体场效应晶体管即背对背PMOSFET，所述背对背PMOSFET作为所述多个开关中的一个；以及

所述多个总线从控设备中的每个总线从控设备具有耦接于所述通信总线并耦接于所述背对背PMOSFET的中点的所述多个电荷泵中的一个。

7.根据权利要求1所述的通信总线系统，其中：

所述总线主控设备包括作为所述开关的经由所述第二端口耦接于所述通信总线的所述第二端的双极开关，其中当所述双极开关断开时，所述总线主控设备的所述第一端口从所述通信总线的所述第二端去耦接；以及

多个总线从控设备中的每个总线从控设备包括作为所述多个开关中的一个的耦接于所述通信总线的所述区段的单极开关，其中当所述单极开关断开时，所述通信总线的所述区段去耦接。

8.根据权利要求1所述的通信总线系统，其中，所述总线主控设备包括：

耦接于所述第一端口和所述第二端口的所述开关。