[发明专利]半导体存储器装置有效

专利信息
申请号: 201480017098.X 申请日: 2014-03-11
公开(公告)号: CN105378851B 公开(公告)日: 2018-11-09
发明(设计)人: 藤田胜之 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: G11C29/00 分类号: G11C29/00;G11C11/15
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 李峥;刘薇
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储器 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体存储器装置,包括:

存储器单元阵列,其包括存储器单元;

冗余区域,其包括用于所述存储器单元阵列中的故障单元的冗余单元;

第一字线,其连接到所述存储器单元阵列;

第二字线,其连接到所述冗余区域;

第一行解码器,其被配置成基于行地址,执行从所述第一字线中选择;

判断电路,其被配置成基于包括在所述行地址中的冗余地址,来确定是否需要采用所述冗余区域的替换操作;以及

第二行解码器,其被配置成基于通过所述判断电路的确定结果,执行从第二字线中选择,

其中,所述行地址包括从外部电路以分时方法按顺序输入的第一行地址和第二行地址,以及

所述第一行地址包含所有的所述冗余地址。

2.如权利要求1所述的装置,其中在输入所述第一行地址后,所述判断电路立即启动确定操作。

3.如权利要求1所述的装置,进一步包括熔断器组,所述熔断器组被配置成存储识别连接到所述存储器单元阵列中的所述故障单元的字线的故障地址,

其中所述判断电路确定所述冗余地址是否与存储在所述熔断器组中的所述故障地址中的一个故障地址匹配。

4.如权利要求1所述的装置,其中

所述第一行地址与第一命令一起输入,以及

所述第二行地址与第二命令一起输入。

5.如权利要求4所述的装置,其中所述第二命令是用于从连接到对应于所述行地址的字线的一组存储器单元中读取数据的激活命令。

6.如权利要求1所述的装置,其中所述存储器单元中的每个存储器单元包括磁阻效应元件。

7.一种半导体存储器装置,包括:

存储器单元阵列,其包括存储器单元;

冗余区域,其包括用于所述存储器单元阵列中的故障单元的冗余单元;

第一字线,其被连接到所述存储器单元阵列;

第二字线,其被连接到所述冗余区域;

第一行解码器,其被配置成基于行地址执行从所述第一字线中选择;

判断电路,其被配置成基于包括在所述行地址中的冗余地址,来确定是否需要采用所述冗余区域的替换操作;以及

第二行解码器,其被配置成基于通过所述判断电路的确定结果,执行从所述第二字线中选择,

其中所述行地址包括从外部电路以分时方法按顺序输入的第一行地址和第二行地址;以及

所述第一行地址包括所述冗余地址的一部分。

8.如权利要求7所述的装置,其中在输入所述第一行地址之后,所述判断电路立即启动确定操作。

9.如权利要求7所述的装置,进一步包括熔断器组,所述熔断器组被配置成存储识别连接到所述存储器单元阵列中的故障单元的字线的故障地址,

其中所述判断电路确定所述冗余地址是否与存储在所述熔断器组中的所述故障地址中的一个故障地址匹配。

10.如权利要求9所述的装置,其中

所述熔断器组中的每个熔断器组包括熔断器元件;

包括在所述熔断器组中并且与所述第一行地址相关的第一组熔断器元件被布置为远离被配置为确定地址之间的匹配的运算电路,以及

包括在所述熔断器组中并且与所述第二行地址相关的第二组熔断器元件被布置为比所述第一组熔断器元件更靠近所述运算电路。

11.如权利要求7所述的装置,其中

所述第一行地址与第一命令一起输入,

所述第二行地址与第二命令一起输入。

12.如权利要求11所述的装置,其中所述第二命令是用于从被连接到对应于所述行地址的字线的一组存储器单元中读取数据的激活命令。

13.如权利要求7所述的装置,其中所述存储器单元中的每个存储器单元包括磁阻效应元件。

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