[发明专利]硅上液晶集成电路及其像素连续性测试方法和系统有效
申请号: | 201480017761.6 | 申请日: | 2014-01-24 |
公开(公告)号: | CN105051805B | 公开(公告)日: | 2018-03-02 |
发明(设计)人: | 乔纳森·B·阿什布鲁克;利昂内尔·李;布赖恩·R·卡雷 | 申请(专利权)人: | 菲尼萨公司 |
主分类号: | G09G3/00 | 分类号: | G09G3/00;G09G3/36 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 朱胜,陈炜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 芯片 中的 像素 测试 | ||
技术领域
在本文中所描述的实施例通常涉及光学开关。更具体地,示例实施例涉及可以被包括在光学开关中的硅上液晶集成电路(LCOS IC)。
背景技术
信号携带光可以被复用到光纤上,以增加光纤的容量和/或使能进行双向传输。光学开关通常被用于对信号携带光的特定信道进行复用、解复用或动态路由。一种类型的光学开关为波长选择器开关(WSS),波长选择器开关基于特定信道的波长对特定信道进行路由。
在一些WSS中,硅上液晶(LCOS)技术被用于建立显示引擎,该显示引擎使特定信道的波长偏转。在LCOS技术中,液晶可以被应用到硅芯片的表面。硅芯片可以涂覆有反射层。例如,反射层可以包括镀铝 (aluminized)层。另外,在LCOS技术中,显示引擎可以包括多个像素。通过被施加到像素的电压的引入和交变,像素建立电控制的光栅,该电控制的光栅沿偏转方向对特定信道进行路由。
本文所要求保护的主题不限于下述实施例:该实施例解决任何不利,或该实施例仅在诸如上述的环境的环境中进行操作。相反,本背景技术仅被提供为示出可以实践在本文中所描述的一些实施例的一个示例性技术领域。
发明内容
在本文中所描述的实施例通常涉及光学开关。更具体地,示例实施例涉及可以被包括在光学开关中的硅上液晶集成电路(LCOS IC)。
示例实施例包括LCOS IC中的像素连续性测试方法。该方法包括将第一电压写入到像素。使像素隔离,并且选择性地耦接至像素的线被放电。该方法还包括对感测放大器进行使能,该感测放大器被配置成感测线上的电压。像素电连接至线,并且感测线上的生成电压。
另一示例实施例包括LCOS IC上的像素连续性测试系统。测试系统包括第一像素、第一线、拉式(yank)结构以及感测放大器。第一线经由第一像素开关选择性地耦接至第一像素。拉式结构包括上拉(yank up) 开关,被配置成将第一像素耦接至第一电压源;以及下拉(yank down) 开关,被配置成将第一线耦接至第二电压源。感测放大器被配置成经由感测放大器开关选择性地耦接至第一线,以及被配置成在第一像素被耦接至第一电压源之后感测在第一线上的第一生成电压。
另一示例性实施例包括LCOS IC。LCOS IC包括多个像素、拉式结构以及多个感测放大器。像素被布置成像素行和像素列,像素列经由列线电耦接。拉式结构包括上拉开关,被配置成将像素列耦接至第一电压源,以及下拉开关,被配置成将像素列耦接至电接地。感测放大器中的每个被配置成感测在列线中至少一个上生成电压。
提供本发明内容来以简化形式介绍在以下具体实施方式中进一步描述的构思集合。本发明内容不旨在识别所要求保护的主题的主要特征或实质特性,也不旨在用作辅助确定所要求保护的主题的范围。
将在下面的描述中陈述本发明的另外的特征和优点,并且根据描述本发明的另外的特征和优点将在某种程度上变得明显,或可以根据本发明的实践来学习本发明的另外的特征和优点。本发明的特征和优点可以借助于在所附的权利要求中特别的指出的工具和组合来实现和获得。本发明的这些和其他特征将根据下面的描述和所附的权利要求变得更加充分地明显,或可以根据如在下文中所陈述的本发明的实践来学习本发明的这些和其他特征。
附图说明
为了进一步阐明本发明的上述和其它的优点和特征,将通过参考在附图中所示出的本发明的特定实施例描述本发明的更具体的说明。应理解这些附图仅描绘本发明的典型实施例并且因此不被认为限制本发明的范围。将通过使用附图、采用另外的特征和详情描述和说明本发明,在附图中:
图1是可以实现在本文中所公开的实施例的示例硅上液晶(LCOS) 系统的框图;
图2是可以集成到图1的LCOS系统的像素连续性测试系统(测试系统)的框图;
图3是在图2的测试系统中可以实现的示例感测放大器的框图;
图4是描绘图2的测试系统的示例序列的示例信号图;以及
图5是在图1的LCOS系统中可以实现的示例像素连续性测试方法的流程图。
具体实施方式
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