[发明专利]熔丝元件以及熔丝器件

权利要求书

1.一种熔丝元件，构成熔丝器件的通电路径，由于超过额定的电流通电而利用自我发热熔断，其中，所述熔丝元件具有：

低熔点金属层；以及

层叠在所述低熔点金属层上的熔点比所述低熔点金属层的熔点高并且电阻率比所述低熔点金属层的电阻率低的高熔点金属层，

所述熔丝元件是将所述低熔点金属层作为内层并且将所述高熔点金属层作为外层的层叠构造体，

所述熔丝元件遍及设置于绝缘基板上或者电路基板上的电极间利用焊料连接于所述电极上，

所述低熔点金属层的熔点为对所述熔丝元件进行回流焊接时的回流温度以下，

使用所述低熔点金属层在所述通电时侵蚀所述高熔点金属层而熔断的作用。

2.根据权利要求1所述的熔丝元件，其中，

所述低熔点金属层为焊料，

所述高熔点金属层为Ag、Cu、将Ag或Cu作为主要成分的合金。

3.根据权利要求1所述的熔丝元件，其中，

与所述高熔点金属层相比，所述低熔点金属层的体积多。

4.根据权利要求1所述的熔丝元件，其中，

所述低熔点金属层与所述高熔点金属层的膜厚比为

低熔点金属层﹕高熔点金属层=2﹕1~100﹕1。

5.根据权利要求4所述的熔丝元件，其中，

所述低熔点金属层的膜厚为30μm以上，

所述高熔点金属层的膜厚为0.5μm以上。

6.根据权利要求5所述的熔丝元件，其中，

所述高熔点金属层的膜厚为3μm以上。

7.根据权利要求1所述的熔丝元件，其中，所述高熔点金属层通过在所述低熔点金属层的表面电镀来形成。

8.根据权利要求1所述的熔丝元件，其中，所述高熔点金属层通过在所述低熔点金属层的表面粘贴金属箔来形成。

9.根据权利要求1所述的熔丝元件，其中，所述高熔点金属层在所述低熔点金属层的表面通过薄膜形成工序来形成。

10.根据权利要求1所述的熔丝元件，其中，在所述高熔点金属层的表面进一步形成有氧化防止膜。

11.根据权利要求1所述的熔丝元件，其中，所述低熔点金属层和所述高熔点金属层交替地层叠多层。

12.根据权利要求1所述的熔丝元件，其中，所述低熔点金属层的除了相向的2个端面之外的外周部被所述高熔点金属层包覆。

13.根据权利要求1所述的熔丝元件，其中，所述熔丝元件的外周的至少一部分被具有绝缘性、针对回流温度的耐热性以及针对熔融焊料的抵抗性的保护构件保护。

14.根据权利要求1所述的熔丝元件，其中，

所述熔丝元件具有并联的多个元件部，

所述多个元件部利用由于超过额定的电流的通电造成的自我发热而熔断。

15.根据权利要求14所述的熔丝元件，其中，所述多个元件部依次熔断。

16.根据权利要求15所述的熔丝元件，其中，一个所述元件部的一部分或全部的剖面积比其他的元件部的剖面积小。

17.根据权利要求14～16的任意一项所述的熔丝元件，其中，

并联有3个所述元件部，

正中的所述元件部最后熔断。

18.根据权利要求17所述的熔丝元件，其中，正中的所述元件部的一部分或全部的剖面积比两侧的元件部的剖面积小。