[发明专利]熔丝元件以及熔丝器件有效
申请号: | 201480018203.1 | 申请日: | 2014-03-27 |
公开(公告)号: | CN105051855B | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | 米田吉弘;小森千智;古田和隆;宇都宫泰志 | 申请(专利权)人: | 迪睿合株式会社 |
主分类号: | H01H85/06 | 分类号: | H01H85/06;H01H85/08;H01H85/11 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;刘春元 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 元件 以及 器件 | ||
提供一种能够进行表面安装并且能够兼顾额定的提高和速熔断性的熔丝元件以及使用该熔丝元件的熔丝器件。在构成熔丝器件(1)的通电路径并且由于超过额定的电流通电而利用自我发热熔断的熔丝元件(5)中,具有:低熔点金属层(5a)和层叠于低熔点金属层(5a)的高熔点金属层(5b),低熔点金属层(5a)在通电时侵蚀高熔点金属层(5b)而熔断。
技术领域
本发明涉及安装在电流路径上并且在超过额定的电流流动时利用自我发热进行熔断来切断该电流路径的熔丝元件以及熔丝器件,特别是涉及速断性优越的熔丝元件以及熔断后的绝缘性优越的熔丝器件。本申请基于在日本国在2013年3月28日申请的日本特许申请号特愿2013-070306和在2014年3月20日申请的日本特许申请号特愿2014-059135要求优先权,通过参照而将这些申请援引于本申请。
背景技术
历来,使用在超过额定的电流流动时利用自我发热进行熔断来切断该电流路径的熔丝元件。作为熔丝元件,例如,多使用将焊料封入到玻璃管中的支架固定型熔丝、在陶瓷基板表面印刷Ag电极的芯片熔丝、使铜电极的一部分变细而装入到塑料盒(plastic case)中的拧入或插入型熔丝等。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2011-82064号公报。
发明内容
发明要解决的课题
但是,在上述现有的熔丝元件中,指出以下那样的问题点:不能进行利用回流的表面安装,电流额定低,此外,当通过大型化来提高额定时速断性差。
此外,在设想回流安装用的速断熔丝器件的情况下,为了不由于回流的热而熔融,通常,在熔丝元件中,熔点为300℃以上的加入Pb的高熔点焊料是熔断特性上优选的。但是,在RoHS指令等中,含有Pb焊料的使用只不过被限定地同意,认为今后无Pb化的要求会变强。
即,作为熔丝元件,要求:利用回流的表面安装是可能的且向熔丝器件的安装性优越、能够提高额定而与大电流对应、具备在超过额定的过电流时迅速地切断电流路径的速熔断性。
因此,本发明的目的在于提供一种能够进行表面安装并且能够兼顾额定的提高和速熔断性的熔丝元件和使用该熔丝元件的熔丝器件。
用于解决课题的方案
为了解决上述的课题,本发明的熔丝元件是,在构成熔丝器件的通电路径并且由于超过额定的电流通电而利用自我发热熔断的熔丝元件中,具有:低熔点金属层;以及高熔点金属层,层叠于所述低熔点金属层,所述低熔点金属层在所述通电时侵蚀所述高熔点金属层而熔断。
此外,本发明的熔丝器件具备:绝缘基板;以及熔丝元件,装载在所述绝缘基板上,由于超过额定的电流通电而利用自我发热来熔断通电路径,所述熔丝元件具有:低熔点金属层;以及高熔点金属层,层叠于所述低熔点金属层,所述低熔点金属层在所述通电时侵蚀所述高熔点金属层而熔断。
发明效果
根据本发明,在熔丝元件中,在作为内层的低熔点金属层层叠高熔点金属层来作为外层,由此,即使在回流温度超过低熔点金属层的熔融温度的情况下,作为熔丝元件,也不会达到熔断。因此,熔丝元件能够利用回流而高效率地安装。
此外,关于本发明所涉及的熔丝元件,当比额定高的值的电流流动时,利用自我发热进行熔融来切断通电路径。此时,在熔丝元件中,熔融后的低熔点金属层侵蚀高熔点金属层,由此,高熔点金属层以比熔融温度低的温度熔解。因此,熔丝元件能够利用由低熔点金属层造成的高熔点金属层的侵蚀作用而在短时间内熔断。
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