[发明专利]用于数据贮存装置的字线瑕疵检测和处理

权利要求书

1.一种字线瑕疵检测和处理的方法，包括：

在包含非易失性存储器和控制器的数据贮存装置中，其中，所述非易失性存储器包括耦接到多个贮存元件的字线，

由所述控制器进行：

检测与在所述字线中的瑕疵相关联的条件；

通过以下步骤确定所述瑕疵的估计的位置：

基于所述字线的中点初始化所述瑕疵的估计的位置；

将所述多个贮存元件关于所述中点划分为第一分区和第二分区；以及

基于与所述第一分区相关联的第一参数以及与所述第二分区相关联的第二参数的比较，调整位置估计以增加所述多个贮存元件的分区之间的参数区别；

基于所述瑕疵的估计的位置确定所述多个贮存元件的第一子集和所述多个贮存元件的第二子集；以及

确定用于所述第一子集的第一读取阈值以及用于所述第二子集的第二读取阈值。

2.如权利要求1所述的方法，其中，使用所述第二读取阈值从所述第二子集读取数据比使用所述第一读取阈值从所述第二子集读取数据产生更少的误差。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述瑕疵对应于所述字线中的物理损坏。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述瑕疵对应于所述字线的宽度的工艺变化。

5.如权利要求1所述的方法，还包含使用所述第一读取阈值从所述第一子集读取第一数据以及使用所述第二读取阈值从所述第二子集读取第二数据。

6.如权利要求5所述的方法，还包含使用与所述第一子集相关联的第一对数似然比(LLR)译码所述第一数据以及使用与所述第二子集相关联的第二LLR译码所述第二数据。

7.如权利要求1所述的方法，还包含通过确定与在所述多个贮存元件处的电压分布相关联的高斯混合模型(GMM)来确定所述瑕疵的估计的位置，其中，确定所述GMM包括基于积分近似操作确定与所述GMM相关联的均值电压。

8.如权利要求1所述的方法，还包含根据二分搜索技术确定所述瑕疵的估计的位置。

9.如权利要求1所述的方法，其中，根据单元电压分布(CVD)跟踪技术进行确定所述第一读取阈值和确定所述第二读取阈值。

10.如权利要求1所述的方法，其中，根据动态读取技术进行确定所述第一读取阈值和确定所述第二读取阈值。

11.如权利要求1所述的方法，其中，所述数据贮存装置嵌入在主机装置中。

12.一种数据贮存装置，包括：

非易失性存储器，包括多个贮存元件和字线；以及

控制器，耦接到所述非易失性存储器，其中，所述控制器被配置为检测与在所述字线中的瑕疵相关联的条件，以基于所述瑕疵的估计的位置确定所述多个贮存元件的第一子集和所述多个贮存元件的第二子集，并且确定用于所述第一子集的第一读取阈值和用于所述第二子集的第二读取阈值，

其中要确定所述估计的位置，所述控制器被配置为基于所述字线的中点初始化所述瑕疵的估计的位置；将所述多个贮存元件关于所述中点划分为第一分区和第二分区；以及基于与所述第一分区相关联的第一参数以及与所述第二分区相关联的第二参数的比较，调整位置估计以增加所述多个贮存元件的分区之间的参数区别。

13.如权利要求12所述的数据贮存装置，其中，所述控制器还被配置为确定所述瑕疵的估计的位置。

14.如权利要求12所述的数据贮存装置，其中，所述控制器还被配置为通过使用共同的读取阈值读取来自所述第一子集的第一数据和来自所述第二子集的第二数据以及通过确定所述第二数据包含超过阈值的数量的误差来检测所述条件。

15.如权利要求12所述的数据贮存装置，其中，所述控制器还被配置为通过确定在所述多个贮存元件处的电压的直方图来检测所述条件，所述直方图指示所述多个贮存元件的邻近的贮存元件之间的电压差超过阈值。

16.如权利要求12所述的数据贮存装置，其中，所述控制器包括被配置为检测所述条件的条件检测器，并且其中所述控制器还包括被配置为确定所述瑕疵的估计的位置的瑕疵位置估计器。