[发明专利]用于数据贮存装置的字线瑕疵检测和处理

说明书

技术领域

本公开一般地涉及检测和处理在数据贮存装置中的字线瑕疵。

背景技术

非易失性数据贮存装置——诸如嵌入的存储器装置和可拆卸的存储器装置——已经使能了数据和软件应用的增加的便携性。例如，闪速存储器装置可以通过在每个闪速存储器单元中贮存多个位来增强数据贮存密度。也可以通过减少装置特征尺寸来增加数据贮存密度。但是，随着装置特征尺寸减小，在非易失性数据贮存装置中的工艺变化(process variation)可能损害装置性能。此外，随着非易失性数据贮存装置(例如，通过增加贮存在存储器单元处的位的数量)贮存更多数据，用户越来越依赖于这样的非易失性数据贮存装置的可靠的操作(例如，可靠地访问贮存在装置处的数据)。相应地，存在处理可能恶化非易失性贮存装置的操作的工艺变化和其它瑕疵的需求。

发明内容

非易失性存储器可以包括可由控制器访问以访问非易失性存储器的贮存元件的字线。例如，控制器可以使用字线来编程在非易失性存储器的贮存元件处的电压。如果字线包括瑕疵、诸如制造瑕疵，非易失性存储器的性能可能被恶化。例如，字线的宽度的工艺变化可能改变字线的电特质，改变非易失性存储器的性能。相应地，访问贮存在非易失性存储器处的数据可能导致误差，因为瑕疵可能使得从贮存元件访问的数据失真(例如，通过导致预期中的逻辑“0”值表现为逻辑“1”值，等)。

根据本公开的至少一个实施例，控制器确定字线是否具有瑕疵。如果字线具有瑕疵，控制器确定瑕疵的估计的位置。控制器可以基于所述瑕疵的估计的位置确定用于读取贮存在贮存元件处的数据的电压阈值。例如，控制器可以确定用于在瑕疵的第一侧(例如，在左边)上的贮存元件的读取阈值的第一集合并且可以确定在瑕疵的第二侧(例如，在右边)上的贮存元件的读取阈值的第二集合。通过使用基于所述瑕疵的估计的位置确定的电压阈值，相比对通过包括瑕疵的字线所访问的所有贮存元件施加读取阈值的共同集合，可以减少读取数据的位误码率。

附图说明

图1是系统的特定的示意性实施例的框图，所述系统包括被配置为确定字线的瑕疵的估计的位置的数据贮存装置；

图2是示出可以结合在图1的数据贮存装置中的组件的特定的实施例的框图；

图3是检测和处理在字线中的瑕疵的方法的特定的示意性实施例的流程图，所述字线诸如图1的数据贮存装置的字线；

图4是确定在字线中的瑕疵的估计的位置的方法的特定的示意性实施例的流程图，所述字线诸如图1的数据贮存装置的字线；以及

图5是确定在字线中的瑕疵的估计的位置的另外的方法的特定的示意性实施例的流程图，所述字线诸如图1的数据贮存装置的字线。

具体实施方式

参照图1，系统100的特定实施例包括数据存储装置102和主机装置150。在图1的特定示例中，数据存储装置102耦接到主机装置150。例如，数据贮存装置102可以可拆卸地耦接到主机装置150——诸如与可拆卸的通用串行总线(USB)配置有关。在至少一个可替换实施例中，数据贮存装置102嵌入在主机装置150中——诸如根据嵌入的多媒体卡(eMMC)配置。

为了进一步说明，数据存储装置102可以对应于存储器卡，所述存储器卡诸如安全数字卡、卡、miniSD^TM卡(特拉华州威明顿市的SD-3C LLC的商标)、多媒体卡^TM(MMC^TM)卡(弗吉尼亚州阿灵顿市的JEDEC固态技术协会的商标)或者(CF)卡(加利福尼亚州苗比达市的SanDisk公司的商标)。作为另一示例，数据存储装置102可以被配置为耦接到主机装置150作为嵌入式存储器，诸如结合作为示意性示例的(弗吉尼亚州阿灵顿市的JEDEC固态技术协会的商标)以及eSD配置。为了说明，数据存储装置102可以对应于eMMC装置。数据存储装置102可以依照JEDEC行业规范操作。例如，数据存储装置102可以依照JEDEC eMMC规范、JEDEC通用闪速存储(UFS)规范、一个或多个其它规范或其组合而操作。