[发明专利]更新读取电压有效

专利信息
申请号: 201480019290.2 申请日: 2014-05-20
公开(公告)号: CN105074831B 公开(公告)日: 2019-03-15
发明(设计)人: E.沙伦;E.梅克哈尼克;I.阿尔罗德 申请(专利权)人: 桑迪士克科技有限责任公司
主分类号: G11C16/26 分类号: G11C16/26;G11C11/56
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 万里晴
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 更新 读取 电压
【权利要求书】:

1.一种产生更新的读取电压的集合的方法,所述方法包括:

在包括控制器和多级单元(MLC)非易失性存储器的数据贮存装置中,进行:

使用多个读取电压从所述多级单元非易失性存储器读取数据的多个表示以产生感测数据的至少两个集合,通过迭代地调整第一读取电压而不调整至少一个附加读取电压而产生多个读取电压,其中,所述多个读取电压中的至少一个读取电压被配置用于读取与所述多级单元非易失性存储器的存储器单元的状态相对应的数据;

基于多个表示进行多个有关误差校正码(ECC)的操作,其中,针对迭代地调整的读取电压中的每一个进行多个有关误差校正码的操作中的有关误差校正码的操作;以及

在进行多个有关误差校正码的操作之后,选择所述更新的读取电压的集合,其中所述更新的读取电压的集合包括第一更新的读取电压和基于所述第一更新的读取电压产生的第二更新的读取电压,所述第一更新的读取电压基于所述多个有关误差校正码的操作与第一读取电压的值相关联。

2.一种更新读取电压以产生至少第一更新的读取电压和第二更新的读取电压的方法,所述方法包括:

在包括控制器和多级单元(MLC)非易失性存储器的数据贮存装置中,进行:

使用多个读取电压的第一试验集合从所述多级单元非易失性存储器读取数据的多个第一表示,通过迭代地调整第一读取电压而不调整第二读取电压而产生所述读取电压的第一试验集合,其中,所述第一读取电压中的至少一个第一读取电压被配置用于读取与所述多级单元非易失性存储器的存储器单元的状态相对应的数据;以及

贮存包括第一更新的读取电压和第二更新的读取电压的更新的读取电压,其中所述第一更新的读取电压包括所述第一读取电压的第一值,基于第一有关误差校正码(ECC)的信息并基于数据的多个第一表示来选择所述第一值,其中所述第二更新的读取电压包括第二读取电压的第二值,基于迭代地调整所述第二读取电压而不调整所述第一读取电压来选择所述第二值,以产生读取电压的多个第二试验集合,所述第二试验集合用于从所述误差校正码非易失性存储器读取数据的第二表示,其中所述读取电压的第二试验集合中的每一个包括所述第一值和所述第二读取电压的迭代调整版本。

3.如权利要求2所述的方法,其中,迭代地调整所述第一读取电压包括:

根据第一步长产生所述第一读取电压的第一值;以及

在基于对应于所述第一值的第一有关误差校正码的信息的部分识别所述第一值中的一个之后,根据小于所述第一步长的第二步长产生所述第一读取电压的值的第二集合。

4.如权利要求2所述的方法,其中,对所述多个第一表示中的每一个进行多个第一有关误差校正码的操作中的一个,并且其中在进行多个第一误差校正码操作之后选择所述第一值。

5.如权利要求2所述的方法,其中,所述第一有关误差校正码的信息对应于校正子值或通过误差校正码译码器检测到的而不调整所述第一读取电压的误差计数中的至少一个。

6.如权利要求2所述的方法,其中,所述第一有关误差校正码的信息对应于译码操作的时间长度。

7.如权利要求2所述的方法,其中,所述第一有关误差校正码的信息对应于在译码操作期间改变的位值的计数或参考数据与多个第一表示中的每一个的相似性中的至少一个。

8.一种更新读取电压的方法,所述方法包括:

在包括控制器和非易失性存储器的数据贮存装置中,进行:

迭代地调整读取电压的集合中的第一读取电压、并且从所述非易失性存储器的逻辑页读取第一部分数据的多个第一表示,其中,根据所述第一读取电压的相应值读取所述第一部分数据的第一表示中的每一个;

通过将第一部分数据的所述第一表示中的每一个与第二部分数据组合来产生对应于所述逻辑页的数据的多个第一表示;以及

基于来自误差校正码译码器的第一有关误差校正码(ECC)的信息选择所述第一读取电压的值,所述第一有关误差校正码的信息响应于所述数据的多个第一表示。

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