[发明专利]更新读取电压有效

专利信息
申请号: 201480019290.2 申请日: 2014-05-20
公开(公告)号: CN105074831B 公开(公告)日: 2019-03-15
发明(设计)人: E.沙伦;E.梅克哈尼克;I.阿尔罗德 申请(专利权)人: 桑迪士克科技有限责任公司
主分类号: G11C16/26 分类号: G11C16/26;G11C11/56
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 万里晴
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 更新 读取 电压
【说明书】:

一种数据贮存装置包括存储器和控制器。读取电压基于调整第一读取电压而不调整第二读取电压更新以产生读取电压的多个集合,并且读取电压的多个集合被用于产生数据的多个表示。基于有关数据的多个表示的有关误差校正码(ECC)的信息选择有关误差校正码(ECC)的信息。在另外的实施例中,使用候选读取电压的集合来感测存储器的贮存元件以产生转移到能够由控制器访问的存储器的感测数据。可以基于感测数据产生数据的多个表示来仿真使用候选读取电压的不同组合读取贮存元件的结果。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年8月14日提交的美国非临时专利申请No.13/967,145的优先权,上述非临时专利申请要求于2013年5月31日提交的美国临时专利申请No.61/829,646的优先权。这些申请的每一个的内容通过引起将其整体结合于此。

技术领域

本公开一般地涉及确定用于非易失性存储器的读取电压。

背景技术

非易失性数据贮存装置——诸如嵌入的闪速存储器、通用串行总线(USB)闪速存储器装置或可拆卸的贮存卡——已经允许了数据和软件应用的增加的便携性。例如,闪速存储器装置可以通过在每个闪速存储器单元中贮存多个位来增强数据贮存密度。例如,多级单元(MLC)闪速存储器装置可以通过贮存每单元3位、每单元4位或者更多来提供增加的贮存密度。

在单个闪速存储器单元中贮存多个位的信息通常包括将多个序列的位映射到闪速存储器单元的状态。例如,第一序列的位“110”可以对应于闪速存储器单元的第一状态,并且第二序列的位“010”可以对应于闪速存储器单元的第二状态。在确定一序列的位要被贮存到特定闪速存储器单元中之后,特定闪速存储器单元可以(例如,通过设置阈值电压)被编程到对应于该序列的位的状态。

一旦在数据贮存装置中的存储器单元已经被编程,可以通过将单元阈值电压与一个或多个读取电压比较而感测每个存储器单元的编程的状态,来从存储器单元读取数据。但是,由于诸如数据保留和编程干扰情况的一个或多个因素,感测的编程状态有时可能与写入的编程状态不同。

发明内容

可以通过更新被用于读取贮存的数据的读取电压的集合来改善读取贮存在数据贮存装置中的数据的准确性,以便于减少与读取贮存的数据相关联的估计的或实际的位误码率。可以调整一个或多个读取电压而同时将一个或多个其它读取电压保持恒定,以产生读取电压的多个试验集合。贮存的数据的多个表示被产生,并且对应于使用多个试验集合来读取贮存的数据。与多个表示相关联的误差校正码(ECC)有关的信息可以被用于选择一个或多个读取电压的更新的值。读取电压的更新可以通过将更新的值保持恒定而同时调整其它读取电压而继续。

附图说明

图1是如下系统的特定的示意性实施例的框图,所述系统包括数据贮存装置,其被配置为基于由于保持读取电压恒定而同时调整其它读取电压而产生的数据的多个表示的有关ECC的信息产生更新的读取电压;

图2是图1的数据贮存装置的组件的特定的实施例的示例图,所述数据贮存装置被配置为在控制器存储器中贮存贮存元件状态数据并且使用贮存的状态数据来仿真进行读取操作;

图3是可以由图1的数据贮存装置进行的更新读取电压的方法的特定的实施例的流程图;

图4是可以由图1的数据贮存装置进行的更新读取电压的方法的另一特定的实施例的流程图;

图5是可以由图1的数据贮存装置进行的更新读取电压的方法的另一特定的实施例的流程图;

图6是可以由图1的数据贮存装置进行的更新读取电压的方法的另一特定的实施例的流程图;以及

图7是可以由图1的数据贮存装置进行的更新读取电压的方法的另一特定的实施例的流程图。

具体实施方式

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