[发明专利]光电子半导体芯片和光电子模块在审

专利信息
申请号: 201480019728.7 申请日: 2014-03-24
公开(公告)号: CN105103288A 公开(公告)日: 2015-11-25
发明(设计)人: B.哈恩;J.鲍尔 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01L25/04 分类号: H01L25/04;H01L31/02;H01L25/075;H01L33/62;H01L31/0224;H01L33/38
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 卢江;张涛
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 光电子 半导体 芯片 模块
【说明书】:

技术领域

本申请涉及一种光电子半导体芯片和一种具有至少一个光电子半导体芯片的光电子模块。

背景技术

对于致力于发光二极管的尽可能高的堆积密度的光电子模块通常期望的是,发光二极管直接通过接合线连接相互串联连接。然而,通过将上侧的焊盘布置在发光二极管上使得矩形辐射面的提供变难,这特别是对于投影应用是适宜的。

发明内容

任务是说明一种半导体芯片,该半导体芯片的特征在于在同时好的光电子特性的情况下的特别通用的适用性。此外应该说明一种光电子模块,该光电子模块可以简单并且可靠地制造。

该任务特别是通过根据专利权利要求1的光电子半导体芯片来解决。其他设计方案和适宜性是从属专利权利要求的主题。

根据光电子半导体芯片的至少一种实施方式,光电子半导体芯片具有拥有半导体层序列的半导体本体。半导体层序列特别是包括有源区域,该有源区域被设置用于产生和/或接收辐射。有源区域例如被设置用于接收或产生紫外、可见光或红外光谱范围中的辐射。有源区域例如被布置在第一半导体层和第二半导体层之间。适宜地,第一半导体层和第二半导体层关于导通类型彼此不同。例如第一半导体层是n导通的并且第二半导体层是p导通的或者反之。在垂直方向上、即在与半导体层序列的半导体层的主延伸平面垂直伸展的方向上,半导体本体特别是在辐射通过面和主面之间延伸。

根据光电子半导体芯片的至少一种实施方式,光电子半导体芯片具有载体。在垂直方向上,载体在载体的朝向半导体本体的正面和背向半导体本体的背面之间延伸。半导体本体被布置并且特别是被固定在载体上。例如半导体本体与载体材料决定地连接。

在材料决定的连接的情况下,优选预制的连接伙伴借助原子和/或分子力粘紧。材料决定的连接例如可以借助连接剂、例如粘合剂或焊剂来实现。通常,连接的分离伴随着连接剂和/或至少一个连接伙伴的破坏。

例如半导体本体借助结合层、特别是能导电的结合层固定在载体上。

根据光电子半导体芯片的至少一种实施方式,光电子半导体芯片具有第一接触部,该第一接触部与第一半导体层导电连接。第一接触部特别是被设置用于半导体芯片的外部的电接触,例如借助连接线、例如接合线连接。第一接触部例如被构造在载体的朝向半导体本体的正面上。换句话说,第一接触部从半导体芯片的背向载体的侧上对于外部的电接触是可达到的。

根据光电子半导体芯片的至少一种实施方式,光电子半导体芯片具有第二接触部,该第二接触部与第一半导体层导电连接。第二接触部特别是被设置用于光电子半导体芯片的外部的电接触。第二接触部例如被构造在载体的背面上。在垂直方向上,载体因此在第一接触部和第二接触部之间伸展。

根据光电子半导体芯片的至少一种实施方式,第一接触部和第二接触部相互导电连接。换句话说,在光电子半导体芯片中,在第一接触部和第二接触部之间存在电流路径。特别是电流路径在载体的正面和背面之间伸展。在光电子半导体芯片的运行中,第一接触部和第二接触部位于相同的电位上。特别是在第一接触部和第二接触部之间施加电压时将没有电流流经半导体本体、特别是有源区域。换句话说,第一接触部和第二接触部之间的导电连接完全在半导体本体之外或至少完全在有源区域之外地伸展。

根据光电子半导体芯片的至少一种实施方式,第一半导体层与第一接触部并且与第二接触部连接。

在光电子半导体芯片的至少一种实施方式中,光电子半导体芯片具有载体和布置在载体上的具有半导体层序列的半导体本体。半导体层序列包括有源区域,该有源区域被布置在第一半导体层和第二半导体层之间并且被设置用于产生和/或接收辐射。第一半导体层与第一接触部并且与第二接触部导电连接。第一接触部被构造在载体的朝向半导体本体的正面上。第二接触部被构造在载体的背向半导体本体的背面上。第一接触部和第二接触部相互导电连接。

根据光电子半导体芯片的至少一种实施方式,载体是能导电的。载体例如包含半导体材料、例如硅或锗。为了提高导电性可以掺杂半导体材料。替代地,载体也可以包含金属或金属合金并且此外金属地构造。在该情况下,载体的背面本身可以构成第二接触部。

也可以与此不同地设想,载体包含电绝缘的材料。例如载体可以具有电绝缘的基体,在从正面到背面的垂直方向上电通孔接触、例如至少部分地利用金属填充的留空延伸经过该基体。例如陶瓷、例如氮化铝或氮化硼适合于电绝缘的载体。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司,未经奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480019728.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top