[发明专利]光电子器件和用于制造光电子器件的方法

权利要求书

1.一种光电子器件(101)，包括：

载体(103)，在所述载体上施加有半导体层序列(105)，所述半导体层序列包括n型掺杂的半导体层(109)和p型掺杂的半导体层(107)，使得形成pn结(111)，所述pn结包括用于产生电磁辐射的有源区(113)，其中

-所述n型掺杂的半导体层(109)和所述p型掺杂的半导体层(107)中的至少一个包括具有第一掺杂浓度的掺杂的区域(117)，所述第一掺杂浓度大于在包括所述区域(117)的所述半导体层中的所述区域(117)的周围中的第二掺杂浓度，

-掺杂的所述区域(117)与在掺杂的所述区域(117)的周围中在截止方向上的击穿电压相比分别具有在所述pn结的截止方向上的更小的击穿电压，

-掺杂的所述区域(117)彼此横向隔开地设置，

-在相邻的掺杂的所述区域(117)之间分别存在具有所述第二掺杂浓度的区域，并且

-所述区域(117)以伸展至所述pn结(111)并且接触所述pn结的方式形成，或者

-所述区域(117)以穿过所述pn结(111)伸展的且连接这两个掺杂的所述半导体层的方式形成。

2.根据权利要求1的光电子器件(101)，

其中

-所述区域(117)与在包括所述区域的半导体层中形成的缺陷相邻地形成，

-所述缺陷是Epi管，

-所述Epi管具有小于1μm的直径，

-所述Epi管穿过所述半导体层序列(105)的层延伸。

3.根据权利要求1所述的光电子器件(101)，其中所述区域(117)是n型掺杂的并且所述第二掺杂浓度是n型掺杂的半导体层的掺杂浓度。

4.根据权利要求1所述的光电子器件(101)，其中所述区域是p型掺杂的并且所述第二掺杂浓度是所述p型掺杂的半导体层(107)的掺杂浓度。

5.根据权利要求1所述的光电子器件(101)，其中所述区域(117)与在包括所述区域的所述半导体层中形成的缺陷相邻地形成。

6.根据权利要求5所述的光电子器件(101)，其中所述缺陷是V坑(603)或Epi管。

7.根据权利要求1所述的光电子器件(101)，其中所述区域(117)与在包括所述区域的所述半导体层中形成的通孔(403)相邻地形成。

8.根据权利要求1所述的光电子器件(101)，其中所述区域(117)在包括所述区域(117)的所述半导体层的背离所述半导体层序列(105)的外面上形成。

9.根据权利要求1所述的光电子器件(101)，其中形成多个区域(115，117，119)，使得包括这些区域(115，117，119)的所述半导体层具有调制的掺杂。

10.根据权利要求1所述的光电子器件(101)，其中所述区域(117)具有至少25μm²的面积。

11.一种用于制造光电子器件(101)的方法，其中在载体(103)上施加半导体层序列(105)，所述半导体层序列包括n型掺杂的和p型掺杂的半导体层(107)，使得形成pn结(111)，所述pn结包括用于产生电磁辐射的有源区(113)，其中所述n型掺杂的和所述p型掺杂的半导体层(107)中的至少一个半导体层的一个区域设有掺杂材料(501)，使得所述区域(117)以第一掺杂浓度掺杂，所述第一掺杂浓度大于在包括所述区域(117)的所述半导体层中的所述区域(117)的周围中的第二掺杂浓度，并且

其中在掺杂的所述半导体层的至少一个中形成通孔(403)，将所述掺杂材料(501)引入所述通孔中，使得掺杂的所述区域(117)与所述通孔(403)相邻地形成。

12.根据权利要求11所述的方法，其中在掺杂的所述半导体层的至少一个中形成缺陷，所述缺陷设有所述掺杂材料(501)，使得掺杂的所述区域(117)与所述缺陷相邻地形成。

13.根据权利要求11所述的方法，其中在所述区域设有所述掺杂材料(501)之前，所述半导体层序列(105)的至少一个露出的面设有保护层以防止用所述掺杂材料(501)的掺杂。