[发明专利]光电子器件和用于制造光电子器件的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种光电子器件。本发明还涉及一种用于制造光电子器件的方法。

背景技术

少量的静电放电已经能够持续地损害光电子器件。这些光电子器件例如能够是铟镓氮化物芯片。

因此，存在对用于保护防止这种静电放电的措施的需求。

发明内容

本发明基于的目的能够在于，提出一种光电子器件，所述光电子器件更好地被保护防止由于静电放电引起的损害。

本发明基于的目的也能够在与，提供一种用于制造光电子器件的相应的方法。

所述目的借助于一种光电子器件实现，其包括：载体，在所述载体上施加有半导体层序列，所述半导体层序列包括n型掺杂的半导体层和p型掺杂的半导体层，使得形成pn结，所述pn结包括用于产生电磁辐射的有源区，其中-所述n型掺杂的半导体层和所述p型掺杂的半导体层中的至少一个包括具有第一掺杂浓度的掺杂的区域，所述第一掺杂浓度大于在包括所述区域的所述半导体层中的所述区域的周围中的第二掺杂浓度，-掺杂的所述区域与在掺杂的所述区域的周围中在截止方向上的击穿电压相比分别具有在所述pn结的截止方向上的更小的击穿电压，-掺杂的所述区域彼此横向隔开地设置，并且-在相邻的掺杂的所述区域之间分别存在具有所述第二掺杂浓度的区域，并且-所述区域以伸展至所述pn结并且接触所述pn结的方式形成，或者-所述区域以穿过所述pn结伸展的且连接这两个掺杂的所述半导体层的方式形成；所述目的还通过一种用于制造光电子器件的方法来实现，其中在载体上施加半导体层序列，所述半导体层序列包括n型掺杂的和p型掺杂的半导体层，使得形成pn结，所述pn结包括用于产生电磁辐射的有源区，其中所述n型掺杂的和所述p型掺杂的半导体层中的至少一个半导体层的一个区域设有掺杂材料，使得所述区域以第一掺杂浓度掺杂，所述第一掺杂浓度大于在包括所述区域的所述半导体层中的所述区域的周围中的第二掺杂浓度，并且其中在掺杂的所述半导体层的至少一个中形成通孔，将所述掺杂材料引入所述通孔中，使得掺杂的所述区域与所述通孔相邻地形成。有利的设计方案是本文的主题。

根据一个方面提供一种光电子器件，包括：载体，在所述载体上施加半导体层序列，所述半导体层序列包括n型掺杂的和p型掺杂的半导体层，使得形成pn结，所述pn结包括用于产生电磁辐射的有源区，其中n型掺杂的和p型掺杂的半导体层中的至少一个包括具有第一掺杂浓度的掺杂的区域，所述第一掺杂浓度大于在包括该区域的半导体层中的该区域的周围中的第二掺杂浓度。

根据另一方面，提供一种用于制造光电子器件的方法，其中在载体上施加半导体层序列，所述半导体层序列包括n型掺杂的和p型掺杂的半导体层，使得形成pn结，所述pn结包括用于产生电磁辐射的有源区，其中n型掺杂的和p型掺杂的半导体层中的至少一个的区域设有掺杂材料，使得该区域以第一掺杂浓度掺杂，所述第一掺杂浓度大于在包括该区域的半导体层中的该区域的周围中的第二掺杂浓度。因此，也就是说尤其半导体层序列的包括n型掺杂的和p型掺杂的半导体层中的至少一个的区域设有掺杂材料。

根据一个实施方式，载体能够形成为生长衬底，所述生长衬底通常也能够称作衬底。于是，尤其将半导体层序列的各个层、即尤其n型和p型掺杂的半导体层施加或生长到这种生长衬底上。于是，尤其能够在半导体层生长期间执行区域的掺杂。尤其，在半导体层生长之后能够替选地或附加地执行区域的掺杂。这尤其在半导体层序列还设置在生长衬底上时是如此。生长衬底例如能够包括蓝宝石或由蓝宝石形成。

根据一个实施方式能够提出，在半导体层序列的半导体层生长到生长衬底上之后，将载体衬底设置到半导体层序列的表面上，其中表面背离生长衬底形成。因此，生长衬底和载体衬底尤其相对置，其中在生长衬底和载体衬底之间设有或形成有或设置有半导体层序列。尤其，在所述设置方案中能够提出，区域替选地或附加地被相应地掺杂。载体衬底尤其能够包括锗或硅或由锗或硅构成。

在设置载体衬底之后尤其能够提出，将生长衬底从半导体层序列分离或移除。于是，载体衬底在此尤其形成载体，其中在此优选能够提出，区域替选地或附加地被掺杂。因此，载体衬底不等同于生长衬底。

一个或多个区域的掺杂，即设有具有相应掺杂浓度的n型掺杂的和/或p型掺杂的半导体层，尤其包括下述情况：一个或多个区域在半导体层序列的生长或形成期间被相应地掺杂。尤其，附加地或替选地这种情况包括：后续地、即在半导体层序列的生长或形成之后，一个或多个区域被掺杂，例如借助于溅射工艺掺杂。