[发明专利]感测放大器局部反馈以控制位线电压

权利要求书

1.一种用于操作非易失性存储系统的方法，包括：

使用复制电路生成源极偏压，所述复制电路将连接至伪存储器单元的伪位线偏置成第一电压；

将第一感测放大器连接至第一位线，所述第一位线连接至第一存储器单元，所述第一感测放大器包括第一预充电电路，所述第一预充电电路包括第一晶体管，所述第一晶体管包括第一栅极和第一源极节点，所述第一源极节点连接至所述第一位线；

使用所述第一预充电电路将所述第一位线预充电至所述第一电压，对所述第一位线预充电包括：基于来自所述第一位线的反馈和所述源极偏压来将所述第一栅极设置成第一偏压；

将第二感测放大器连接至第二位线，所述第二位线连接至第二存储器单元，所述第二感测放大器包括第二预充电电路，所述第二预充电电路包括第二晶体管，所述第二晶体管包括第二栅极和第二源极节点，所述第二源极节点连接至所述第二位线；

使用所述第二预充电电路来将所述第二位线预充电至所述第一电压，对所述第二位线预充电包括：基于来自所述第二位线的反馈和所述源极偏压来将所述第二栅极设置成第二偏压，所述第二偏压不同于所述第一偏压；

在对所述第一位线预充电之后使用所述第一感测放大器来感测所述第一存储器单元；以及

在对所述第二位线预充电之后使用所述第二感测放大器来感测所述第二存储器单元。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第一电压包括读取电压。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，

所述源极偏压小于所述读取电压。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，

所述第一偏压大于所述读取电压，以及所述第二偏压大于所述读取电压。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，

在将所述第一位线预充电至所述第一电压的同时，对所述第二位线进行预充电。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，

对所述第一位线预充电包括：使用第三晶体管将所述第一栅极设置成所述第一偏压，所述第三晶体管包括第三栅极，所述第三栅极连接至所述第一源极节点。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述生成源极偏压包括：生成所述源极偏压以使得所述第一预充电电路在一温度范围内将所述第一位线预充电至所述第一电压。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，

所述第一存储器单元是单片式三维存储器阵列的一部分，所述单片式三维存储器阵列包括所述第一存储器单元和第三存储器单元，所述第一存储器单元位于所述第三存储器单元之上，所述第三存储器单元位于衬底之上，所述第一存储器单元和所述第三存储器单元形成在所述衬底之上，在所述第一存储器单元与所述第三存储器单元之间没有任何介于中间的衬底。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，

所述非易失性存储系统包括包含所述第一存储器单元和所述第二存储器单元的非易失性存储器，所述非易失性存储器单片式地形成为存储器单元的阵列的一个或更多个物理级，所述存储器单元具有布置在硅衬底之上的有源区，所述非易失性存储系统包括与所述第一存储器单元和所述第二存储器单元的操作相关联的电路。