[发明专利]光电子器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201480021610.8 申请日: 2014-04-04
公开(公告)号: CN105103315B 公开(公告)日: 2018-06-26
发明(设计)人: M.布兰德尔;M.齐茨尔斯帕格 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 胡莉莉;张涛
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 塑料壳体 光电子器件 引线框架 焊接 材料覆盖 嵌入 着陆 芯片 覆盖 制造
【权利要求书】:

1.一种光电子器件(10),其包括塑料壳体(100),

其中第一引线框架部分(200)被嵌入到所述塑料壳体(100)中,

其中所述第一引线框架部分(200)的芯片着陆面(210)和焊接接触面(220)至少部分地并未被所述塑料壳体(100)覆盖,

其中所述焊接接触面(220)具有槽(230),

其中所述槽(230)并没有被所述塑料壳体(100)的材料覆盖,

其中所述槽(230)以至少分段地围绕所述焊接接触面(220)的中央区域(222)周向延伸的方式被实施,

其中所述塑料壳体(100)具有邻接所述芯片着陆面(210)的腔(130),

其中灌封材料(500)被布置在所述腔(130)中,以及

其中所述槽(230)被设置用于防止中央区域(222)被所述灌封材料(500)润湿。

2.根据权利要求1所述的光电子器件(10),

其中,所述槽(230)被布置在所述焊接接触面(220)的边缘区域(221)中。

3.根据权利要求1所述的光电子器件(10),

其中,所述槽(230)具有在10µm到1mm之间的深度(231)。

4.根据权利要求3所述的光电子器件(10),

其中,所述槽(230)具有在50µm到200µm之间的深度(231)。

5.根据上述权利要求1-4中的任一项所述的光电子器件(10),

其中,光电子半导体芯片(400)被布置在所述芯片着陆面(210)上。

6.根据权利要求1所述的光电子器件(10),

其中,所述灌封材料(500)包括硅树脂。

7.根据上述权利要求1-4中的任一项所述的光电子器件(10),

其中,第二引线框架部分(300)被嵌入到所述塑料壳体(100)中,

其中,所述第二引线框架部分(300)的上部面(310)和下部面(320)至少部分地并未被所述塑料壳体(100)覆盖。

8.根据权利要求7所述的光电子器件(10),

其中,所述下部面(320)具有另一槽(330)。

9.一种用于制造光电子器件(10)的方法,

其包括如下步骤:

- 提供具有芯片着陆面(210)和具有焊接接触面(220)的第一引线框架部分(200),所述焊接接触面(220)具有槽(230),所述槽(230)围绕所述焊接接触面(220)的中央区域(222)以至少分段地周向延伸的方式而被实施;

- 将所述第一引线框架部分(200)嵌入到塑料壳体(100)中,使得所述芯片着陆面(210)和所述焊接接触面(220)至少部分地并未被所述塑料壳体(100)覆盖,并且使得所述槽(230)并没有被所述塑料壳体(100)的材料覆盖,以及

- 将灌封材料(500)布置在所述塑料壳体(100)的邻接所述芯片着陆面(210)的腔(130)中,其中所述槽(230)防止所述焊接接触面(220)的所述中央区域(222)被灌封材料(500)润湿。

10.根据权利要求9所述的方法,

其中,所述方法包括如下另一步骤:

- 在将所述灌封材料(500)布置在所述腔(130)中之前,将光电子半导体芯片(400)布置在所述芯片着陆面(210)上。

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