[发明专利]浮法平板玻璃制造方法有效

专利信息
申请号: 201480023330.0 申请日: 2014-04-23
公开(公告)号: CN105143132B 公开(公告)日: 2017-08-08
发明(设计)人: 安田兴平;林泰夫;井川信彰;市川龙麻;宫坂聪史 申请(专利权)人: 旭硝子株式会社
主分类号: C03C15/02 分类号: C03C15/02;C03B18/02
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 代理人: 胡嵩麟,王海川
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 平板玻璃 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及浮法平板玻璃制造方法。

背景技术

作为平板玻璃的主要制造方法的浮法是如下方法:在被称为浮抛窑的充满熔融金属锡的熔融金属浴的浴面上,连续地流过熔融玻璃从而形成玻璃带,使该玻璃带沿着熔融金属浴面漂浮的同时前进而成板;该方法在大量生产平坦性高的平板玻璃方面极其优良。

但是,在该浮法中,有时会在玻璃带的上表面侧产生由熔融金属锡导致的上部斑点(top speck)。所谓上部斑点是指从熔融金属浴蒸发的锡成分在作为浴上部的顶部或壁部凝结,凝结物或该凝结物被还原为金属状态后的物质以小粒的形式落下到玻璃带上,在玻璃带的上表面形成数μm~数10μm大小的锡缺陷而附着的物质。

随着平板玻璃的用途从以往的建材领域向电子材料领域扩大,利用浮法制造的平板玻璃表面的上部斑点成为问题。例如,在作为液晶显示器、等离子显示器面板等平板显示器(FPD)的玻璃基板使用的平板玻璃的情况下,在所制造的平板玻璃中发现看得见的尺寸的锡缺陷时,平板玻璃的包含锡缺陷的部分作为缺陷品被处理。

近年来,由于FPD用的玻璃基板的高精细化,关于存在于平板玻璃表面的锡缺陷的大小的标准变得更严格。另外,随着FPD的大型化,FPD用的玻璃基板也在推进大型化,在产生锡缺陷的情况下,有可能作为缺陷品被处理的板平玻璃的面积变得更大、从而成为生产率降低的主要原因。

作为从利用浮法制造的平板玻璃的表面除去上部斑点等异物的方法,提出了将玻璃基板浸渍在包含氢氟酸水溶液或含有二价铬离子的酸性水溶液的处理液中,从而将异物溶解并除去的方法,例如,在专利文献1和专利文献2中公开了上述方法。

另外,在专利文献3中公开了一种浮法平板玻璃表面的异物除去方法,其特征在于,在存在于浮法平板玻璃的表面的微小异物附近或者在与该异物接触的状态下,在高温下使卤化铵升华,由此使异物分解、挥发而将其除去。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开平9-295832号公报

专利文献2:日本特开平9-295833号公报

专利文献3:日本特开平10-085684号公报

发明内容

发明所要解决的问题

但是,专利文献1、2的方法为离线处理,并且为了除去锡缺陷直到能够满足平板显示器用玻璃基板中所要求的标准的程度,需要延长在处理液中的浸渍时间。

另一方面,在专利文献3的方法中,由于需要在存在于浮法平板玻璃的表面的微小异物附近或者在与该异物接触的状态下,在高温下使卤化铵升华,所以难以在浮抛窑内实施,因此需要在浮抛窑外设置用于实施该方法的设备。

并且,卤化铵具有腐蚀金属的作用,因此用于处理的设备的腐蚀也成为问题。

此外,在上述各种方法中,已知由于异物落下至玻璃表面,所以异物除去后的基板表面上产生微小的凹部,发现这可能会对近年来的高品质显示器用玻璃基板产生影响。

本发明的目的在于,为了解决上述问题,提供一种浮法平板玻璃制造方法,在制造浮法平板玻璃时,利用在线处理从玻璃表面除去锡缺陷,从而得到平滑的表面。

用于解决问题的手段

本发明为了达到上述目的,提供一种浮法平板玻璃制造方法,其中,在浮抛窑内的500~1200℃的还原气氛中,将含氯气体和含氟气体以分别满足下述式(1)、(2)所示的条件的方式喷雾到玻璃带表面上,

(6.92u1+15.8)c1t1·exp(-4303/T1)>r(1)

式(1)中,c1为含氯气体的氯浓度[体积%],u1为含氯气体的流速(线速度)[cm/s],t1为含氯气体的喷雾时间[s],T1为玻璃带的表面温度[K],r为在玻璃带表面上存在的锡缺陷的半径[μm];

(6.92u2+15.8)c2t2·exp(-4303/T2)>r(2)

式(2)中,c2为含氟气体的氟浓度[体积%],u2为含氟气体的流速(线速度)[cm/s],t2为含氟气体的喷雾时间[s],T2为玻璃带的表面温度[K],r为在玻璃带表面上存在的锡缺陷的半径[μm]。

另外,在本发明的浮法平板玻璃制造方法中,优选地,在将制造的玻璃的玻璃化转变温度设为Tg时,在浮抛窑内的Tg+30℃~Tg+300℃的还原气氛中,将所述含氯气体和所述含氟气体喷雾到所述玻璃带表面上。

另外,在本发明的浮法平板玻璃制造方法中,优选地,所述含氯气体为氯化氢(HCl)。

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