[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201480023909.7 | 申请日： | 2014-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN105144379A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 佐藤知稔;荻野荣治;池谷直泰;森下敏 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/18;H03K17/00;H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;池兵 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，其由多个场效应晶体管共源共栅连接而成，其特征在于，包括：
常截止型场效应晶体管，其为所述多个场效应晶体管中的一个，具有形成有栅极电极和漏极电极的第一主面和形成有源极电极的第二主面；和
芯片焊盘，其具有与所述常截止型场效应晶体管的第二主面接触的第一主面，且兼作该半导体器件的源极端子。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：
还包括常导通型场效应晶体管，其为所述多个场效应晶体管中的另一个，具有形成有源极电极、栅极电极和漏极电极的第一主面，
在所述常截止型场效应晶体管中，不仅在所述第二主面形成有源极电极，在所述第一主面也形成有源极电极，
在所述常截止型场效应晶体管的第一主面形成的源极电极与在所述常导通型场效应晶体管的第一主面形成的栅极电极由导电部件连接。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：
所述常导通型场效应晶体管具有比所述常截止型场效应晶体管高的耐压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480023909.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
