[发明专利]三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法有效
申请号: | 201480025365.8 | 申请日: | 2014-05-02 |
公开(公告)号: | CN105191123B | 公开(公告)日: | 2019-03-05 |
发明(设计)人: | C·左;D·D·金;J-H·兰;J·金;M·F·维纶茨;C·尹;D·F·伯蒂;R·P·米库尔卡;M·M·诺瓦克;X·张;P·H·西伊 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H03H7/46 | 分类号: | H03H7/46 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 袁逸 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三维 集成电路 ic dic 中的 调谐 共用 以及 相关 组件 方法 | ||
1.一种三维(3D)集成电路(IC),包括:
包括至少一个电感器的第一层级,其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器;
包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级,所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。
2.如权利要求1所述的三维集成电路,其特征在于,所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。
3.如权利要求1所述的三维集成电路,其特征在于,所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。
4.如权利要求1所述的三维集成电路,其特征在于,所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。
5.如权利要求1所述的三维集成电路,其特征在于,进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器,所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。
6.如权利要求1所述的三维集成电路,其特征在于,所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。
7.如权利要求1所述的三维集成电路,其特征在于,所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。
8.如权利要求1所述的三维集成电路,其特征在于,所述三维集成电路集成到半导体管芯中。
9.如权利要求1所述的三维集成电路,其特征在于,所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备:机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。
10.一种形成可调谐共用器的方法,包括:
在三维(3D)集成电路(IC)的第一层级中形成穿基板通孔电感器;
在所述三维集成电路的第二层级中形成变抗器;以及
将所述变抗器电耦合到所述三维集成电路中的所述穿基板通孔电感器,从而所述穿基板通孔电感器和所述变抗器形成所述可调谐共用器的滤波器。
11.如权利要求10所述的方法,其特征在于,将所述变抗器电耦合到所述穿基板通孔电感器包括实行基板转移和使用金属到金属结合。
12.如权利要求10所述的方法,其特征在于,将所述变抗器电耦合到所述穿基板通孔电感器包括使用管芯堆叠工艺将所述第二层级堆叠在所述第一层级上并且使用倒装芯片凸块。
13.如权利要求10所述的方法,其特征在于,形成所述穿基板通孔电感器包括形成穿玻通孔(TGV)电感器。
14.如权利要求10所述的方法,其特征在于,在所述第二层级中形成所述变抗器包括形成玻璃上覆硅(SOG)变抗器。
15.一种三维(3D)集成电路(IC),包括:
包括至少一个穿基板通孔电感器的第一层级;
包括耦合到所述至少一个穿基板通孔电感器的至少一个用于提供可变电容的装置的第二层级,所述至少一个穿基板通孔电感器和所述至少一个用于提供可变电容的装置合而形成可调谐共用器。
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