[发明专利]存储器中的流水线操作有效
申请号: | 201480025710.8 | 申请日: | 2014-03-06 |
公开(公告)号: | CN105264606B | 公开(公告)日: | 2017-12-12 |
发明(设计)人: | M·阿赫特;E·宾博加;马鲁法·卡尼兹;穆尔尼·摩德-沙列 | 申请(专利权)人: | 斯班逊有限公司 |
主分类号: | G11C7/22 | 分类号: | G11C7/22;G11C7/10 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 | 代理人: | 张瑞,郑霞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 中的 流水线 操作 | ||
1.一种用于存储器中的流水线操作的系统,包括:
包括多个存储单元的存储单元阵列;以及
写入设备,所述写入设备被配置成生成多个背对背写入脉冲,所述多个背对背写入脉冲被配置成对所述多个存储单元中的目标存储单元写入,所述多个背对背写入脉冲在重叠持续时间期间重叠,所述重叠持续时间被配置成基于所述存储单元阵列的性能参数进行调整;
其中,在所述重叠持续时间期间,与对后续目标存储单元的写入相关联的位线的斜坡上升周期基本上重叠于与对当前目标存储单元的写入相关联的位线的稳态周期。
2.根据权利要求1所述的系统,其中,所述性能参数包括对目标存储单元预充电和编程所需的电流。
3.根据权利要求1所述的系统,其中,所述性能参数包括对目标存储单元预充电和擦除所需的电流。
4.根据权利要求1所述的系统,其中,所述性能参数包括通过所述存储单元阵列组成的存储器的预定电流消耗。
5.根据权利要求1所述的系统,其中,与对所述后续目标存储单元的写入相关联的所述位线的所述斜坡上升周期包括多个斜坡上升阶段,所述多个斜坡上升阶段由相应的斜坡上升电压驱动。
6.根据权利要求1所述的系统,包括:
斜坡控制电路,所述斜坡控制电路被配置成:
接收多个斜坡上升电压;以及
在所述斜坡上升周期期间,通过施加多个斜坡上升电压中的相应斜坡上升电压,来驱动与对所述后续目标存储单元的写入相关联的所述位线的多个斜坡上升阶段。
7.根据权利要求6所述的系统,其中,所述斜坡控制电路被配置成顺序地施加所述多个斜坡上升电压以驱动所述多个斜坡上升阶段。
8.根据权利要求6所述的系统,其中,所述斜坡控制电路被配置成从相应的独立的电压源接收所述多个斜坡上升电压,每个独立的电压源具有相应的调节器。
9.根据权利要求6所述的系统,其中,所述斜坡控制电路被配置成从生成所述多个斜坡上升电压的单个电压源接收所述多个斜坡上升电压,每个斜坡上升电压被独立地调节。
10.一种在系统中用于对存储单元写入的方法,所述方法包括:
生成背对背的第一写入脉冲和后续写入脉冲以使能对目标存储单元的写入,所述第一写入脉冲和后续写入脉冲在重叠持续时间期间重叠,所述重叠持续时间能够基于所述系统的性能参数来调整;以及
使用所述第一写入脉冲和后续写入脉冲对所述目标存储单元进行写入,
其中,所述写入包括在所述重叠持续时间期间,使得与对后续目标存储单元的写入相关联的位线的斜坡上升周期基本上重叠于与对当前目标存储单元的写入相关联的位线的稳态周期。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,所述性能参数包括对目标存储单元预充电和编程所需的电流。
12.根据权利要求10所述的方法,其中,所述性能参数包括对目标存储单元预充电和擦除所需的电流。
13.根据权利要求10所述的方法,其中,所述性能参数包括通过所述目标存储单元组成的存储器的预定电流消耗。
14.根据权利要求10所述的方法,其中,与对所述后续目标存储单元的写入相关联的所述位线的所述斜坡上升周期包括多个斜坡上升阶段,所述多个斜坡上升阶段由相应的斜坡上升电压驱动。
15.根据权利要求10所述的方法,包括:
接收多个斜坡上升电压;以及
在所述斜坡上升周期期间,通过施加所述多个斜坡上升电压中的相应斜坡上升电压,来驱动与对所述后续目标存储单元的写入相关联的所述位线的多个斜坡上升阶段。
16.根据权利要求15所述的方法,其中,所述施加包括顺序地施加所述多个斜坡上升电压中的所述相应斜坡上升电压以驱动所述多个斜坡上升阶段。
17.根据权利要求15所述的方法,其中,所述接收多个斜坡上升电压包括从对应的相应电压源接收所述多个斜坡上升电压。
18.根据权利要求15所述的方法,其中,所述接收多个斜坡上升电压包括从生成所述多个斜坡上升电压的单个电压源接收所述多个斜坡上升电压,每个斜坡上升电压被独立地调节。
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