[发明专利]存储器中的流水线操作

说明书

背景

技术领域

本公开整体涉及存储器中的流水线操作，其允许在存储器中当前目标位置上操作的同时在存储器中下一目标位置上预充电或部分地操作。在目标位置上的操作可包括将数据编程到目标位置或者从目标位置擦除数据。如下文所述，例如，上述流水线操作改善与存储器相关联的吞吐量。

简要概述

本文描述了用于存储器中的流水线操作的系统、方法和计算机程序产品。

在本公开的实施例中，系统包括第一存储单元、第二存储单元和编程设备。所述编程设备被配置成生成相应的第一编程脉冲和第二编程脉冲以对所述第一存储单元和第二存储单元进行编程。所述第一编程脉冲和第二编程脉冲在重叠持续时间期间重叠，所述重叠持续时间可基于所述第一存储单元和第二存储单元的性能参数来调整。

本公开还考虑了一种方法，所述方法包括：生成相应的第一编程脉冲和第二编程脉冲以对第一存储单元和第二存储单元进行编程，所述第一编程脉冲和第二编程脉冲在重叠持续时间期间重叠，所述重叠持续时间可基于所述第一存储单元和第二存储单元的性能参数来调整；以及使用所述第一编程脉冲和第二编程脉冲对所述第一存储单元和第二存储单元进行编程。

本公开的实施例还描述了以下内容：

1.一种系统，包括：

包括多个存储单元的存储单元阵列；以及

写入设备，所述写入设备被配置成生成多个背对背写入脉冲，所述多个背对背写入脉冲被配置成对所述多个存储单元中的目标存储单元写入，所述多个背对背写入脉冲在重叠持续时间期间重叠，所述重叠持续时间被配置成基于所述存储单元阵列的性能参数进行调整。

2.根据项目1所述的系统，其中，所述性能参数包括对目标存储单元预充电和编程所需的电流。

3.根据项目1所述的系统，其中，所述性能参数包括对目标存储单元预充电和擦除所需的电流。

4.根据项目1所述的系统，其中，所述性能参数包括通过所述存储单元阵列组成的存储器的预定电流消耗。

5.根据项目1所述的系统，其中，在所述重叠持续时间期间，与对后续目标存储单元的写入相关联的位线的斜坡上升周期基本上重叠于与对当前目标存储单元的写入相关联的位线的稳态周期。

6.根据项目5所述的系统，其中，与对所述后续目标存储单元的写入相关联的所述位线的所述斜坡上升周期包括多个斜坡上升阶段，所述多个斜坡上升阶段由相应的斜坡上升电压驱动。

7.根据项目5所述的系统，包括：

斜坡控制电路，所述斜坡控制电路被配置成：

接收多个斜坡上升电压；以及

在所述斜坡上升周期期间，通过施加多个斜坡上升电压中的相应斜坡上升电压，来驱动与对所述后续目标存储单元的写入相关联的所述位线的多个斜坡上升阶段。

8.根据项目7所述的系统，其中，所述斜坡控制电路被配置成顺序地施加所述多个斜坡上升电压以驱动所述多个斜坡上升阶段。

9.根据项目7所述的系统，其中，所述斜坡控制电路被配置成从相应的独立的电压源接收所述多个斜坡上升电压，每个独立的电压源具有相应的调节器。

10.根据项目7所述的系统，其中，所述斜坡控制电路被配置成从生成所述多个斜坡上升电压的单个电压源接收所述多个斜坡上升电压，每个斜坡上升电压被独立地调节。

11.一种在系统中用于对存储单元写入的方法，所述方法包括：

生成背对背的第一写入脉冲和后续写入脉冲以使能对目标存储单元的写入，所述第一编程脉冲和后续编程脉冲在重叠持续时间期间重叠，所述重叠持续时间能够基于所述系统的性能参数来调整；以及

使用所述第一写入脉冲和后续写入脉冲对所述目标存储单元进行写入。

12.根据项目11所述的方法，其中，所述性能参数包括对目标存储单元预充电和编程所需的电流。

13.根据项目11所述的方法，其中，所述性能参数包括对目标存储单元预充电和擦除所需的电流。

14.根据项目11所述的方法，其中，所述性能参数包括与对所述目标存储单元的写入相关联的期望电流消耗。

15.根据项目11所述的方法，其中，所述写入包括在所述重叠持续时间期间，使得与对后续目标存储单元的写入相关联的位线的斜坡上升周期基本上重叠于与对当前目标存储单元的写入相关联的位线的稳态周期。