[发明专利]光电子器件以及用于制造光电子器件的方法

权利要求书

1.用于制造光电子器件（10）的方法，

具有以下步骤：

- 提供具有表面（110）的半导体晶体（100）；

- 将具有电介质的第一层（200）施加到所述表面（110）上；

- 在所述第一层（200）上施加以及结构化光刻胶层（300），其中所述光刻胶层（300）被结构化，使得所述光刻胶层具有开口（310）；

- 部分地溶解掉所述第一层（ 200 ） ，以便暴露所述表面（110）的第一横向区域（121）和第二横向区域（122），其中在第三横向区域（111）中在所述表面（110）上布置所述第一层（200）；

- 在所述表面（110）的横向区域（120）中施加具有第一金属的接触面（410）；

- 在施加所述接触面（410）之后移除所述光刻胶层（300）；

- 在移除所述光刻胶层（300）之后将第二层（500）施加到所述接触面（410）、所述第一层（200）和所述表面（110）的第二横向区域（122）上，所述第二层（ 500 ） 具有光学透明的、导电的材料；

- 将具有第二金属的第三层（600）施加到所述第二层（500）上，其中在所述第二层（500）和所述半导体晶体(100)之间的比接触电阻比在所述接触面（410）和所述半导体晶体（100）之间的比接触电阻大至少一个数量级。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中所述光刻胶层（300）具有正性抗蚀剂。

3.根据权利要求1所述的方法，

其中部分地溶解掉所述第一层（200）通过湿化学蚀刻来进行。

4.根据权利要求3所述的方法，

其中所述光刻胶层（300）在溶解掉所述第一层（200）期间被部分地欠蚀刻。

5.根据权利要求1所述的方法，

其中所述接触面（410）的大小以高精度与结构化的光刻胶层（300）中的开口（310）的大小相对应。

6.根据权利要求1所述的方法，

其中所述半导体晶体（100）的表面（110）的所暴露的第一和第二横向区域（121、122）具有所暴露的直径（123），所述直径（ 123 ） 比所述光刻胶层（300）中的开口（310）的开口直径（311）大。

7.根据权利要求1所述的方法，

其中所述第一层（200）中的开口（210）的直径在横向方向上比所述光刻胶层（300）中的开口（310）的开口直径（311）大。

8.根据权利要求1所述的方法，

其中所述光刻胶层（300）在部分地溶解掉所述第一层（200）期间已被部分地欠蚀刻并且在所述第一层（200）中存在欠蚀刻部（220）。

9.光电子器件（10），

具有带有表面（110）的半导体晶体（100），所述表面具有第一横向区域（121）、第二横向区域（122）和第三横向区域（111），

其中在所述第一横向区域（121）中在所述表面（110）上布置有具有第一金属的接触面（410），

其中在所述第三横向区域（111）中在所述表面（110）上布置有具有电介质的第一层（200），其中所述第一横向区域（121）和所述第二横向区域（122）一起形成所暴露的区域（120），在所述所暴露的区域中所述表面（110）未被所述第一层（200）覆盖，

其中在所述接触面（410）、所述第一层（200）和所述表面（110）的第二横向区域（122）上布置有第二层（500），所述第二层（ 500 ） 具有光学透明的、导电的材料，

其中在所述第二层（500）上布置有具有第二金属的第三层（600），以及

其中在所述第二层（500）和所述半导体晶体(100)之间的比接触电阻比在所述接触面（410）和所述半导体晶体（100）之间的比接触电阻大至少一个数量级，并且所述表面（110）的所述所暴露的区域（120）不与所述第三层（600）直接接触。