[发明专利]光电子器件以及用于制造光电子器件的方法

说明书

用于制造光电子器件的方法包括以下步骤：提供具有表面的半导体晶体；将具有电介质的第一层施加到表面上；在第一层上施加以及结构化光刻胶层，其中光刻胶层被结构化，使得光刻胶层具有开口；部分地溶解掉第一层，以便暴露表面的横向区域；在表面的横向区域中施加具有第一金属的接触面；移除光刻胶层；施加第二层，所述第二层具有光学透明的、导电的材料；以及施加具有第二金属的第三层。

技术领域

本发明涉及根据专利权利要求1的用于制造光电子器件的方法以及根据专利权利要求5的光电子器件。

背景技术

在具有半导体晶体的光电子器件的情况下需要可再现地构造具有最优的接触大小的用于电接触的接触面。例如在发光二极管器件的情况下需要可再现地制造被最优地确定尺寸的接触面，以便实现低的正向电压和高的光输出。

为了以薄膜技术制造发光二极管芯片（LED芯片），在现有技术中已知以下方法，在该方法中在第一光刻方法步骤中安置由金属构成的接触面。在第二方法步骤中施加反射电介质的覆盖接触面的层。借助于光刻方法，紧接着该反射电介质在接触面的区域中被打开。之后沉积反射金属，所述反射金属同时用于电接触该接触面。由于在光刻过程步骤期间的校准容差在该方法中发生接触面的有效大小的散射。

发明内容

本发明的任务在于说明一种用于制造光电子器件的方法。该任务通过具有权利要求1的特征的方法来解决。本发明的另一任务在于提供一种光电子器件。该任务通过具有权利要求5的特征的光电子器件来解决。在从属权利要求中说明了不同的改进方案。

用于制造光电子器件的方法包括以下步骤：提供具有表面的半导体晶体；将具有电介质的第一层施加到表面上；在第一层上施加并结构化光刻胶层，其中光刻胶层被结构化，使得光刻胶层具有开口；部分地溶解掉第一层，以便暴露表面的横向区域；在表面的横向区域中施加具有第一金属的接触面；移除光刻胶层；施加第二层，所述第二层具有光学透明的、导电的材料；以及施加具有第二金属的第三层。有利地，通过该方法利用具有接触面的半导体晶体来制造光电子器件，该接触面的大小可以通过光刻胶层中的开口的大小来确定。这有利地使得能够以高的精度和可再现性来确定接触面的大小。接触面有利地以接触面的整个大小用于电接触半导体晶体，由此不需要比所需的更大地构造用于补偿容差的接触面。由此可以有利地最小化在半导体晶体中产生的光在接触面处的吸收，由此根据该方法制造的光电子器件可以具有更高的光输出。该方法的另一优点在于仅需要一个光刻过程步骤，由此能够低成本地执行该方法。

在该方法的一种实施方式中，光刻胶层具有正性抗蚀剂。有利地，为了结构化光刻胶层，于是仅如下区域必须被曝光，在该区域中应当产生开口。

在该方法的一种实施方式中，部分地溶解掉第一层通过湿化学蚀刻来进行。有利地，所述方法由此能够简单地以及低成本地执行。

在该方法的一种实施方式中，光刻胶层在溶解掉第一层期间部分地被欠蚀刻。通过部分地欠蚀刻有利地确保：所产生的接触面的大小以高精度与结构化的光刻胶层中的开口的大小相对应。

光电子器件包括具有表面的半导体晶体，该表面具有第一横向区域、第二横向区域和第三横向区域。在此，在第一横向区域中在表面上布置有具有第一金属的接触面。在第三横向区域中在表面上布置有具有电介质的第一层。在接触面、第一层和表面的第二横向区域上布置有第二层，该第二层具有光学透明的、导电的材料。在此，在第二层上布置有具有第二金属的第三层。有利地，在该光电子器件中接触面的整个面用于电接触半导体晶体，由此可以构造具有小的尺寸的接触面。由此，接触面处的光吸收有利地被减少，由此可以提高光电子器件的光输出。优点在于：第二横向区域中的光吸收比第一横向区域中接触面处的光吸收显著更少。由此，不仅光电子器件的正向电压而且光电子器件的光输出几乎与第二横向区域的大小无关。这使得能够简单地以及低成本地制造光电子器件。另一优点可能在于：第二层用作第一层和第三层之间的增附剂。