[发明专利]处理电子器件的方法有效
| 申请号： | 201480027836.9 | 申请日： | 2014-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN105230122B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | B·F·波顿;A·J·埃利森;W·P·维克斯 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H05B33/02 | 分类号： | H05B33/02;G02F1/00;G09F9/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 姬利永 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 电子器件 方法 | ||
1.一种处理电子器件的方法，包括：
获得物品，所述物品包括耦接到载体的薄玻璃板，其中所述载体具有第一QCOLED压缩值；
使所述物品经受第一处理周期以在所述薄玻璃板上形成第一器件，其中在所述第一处理周期之后，所述载体具有小于或等于所述第一QCOLED压缩值的第二QCOLED压缩值；
从所述载体移除所述薄玻璃板；以及
使所述载体经受第二处理周期以在所述载体上形成第二器件。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二处理周期之前化学强化所述载体，并且进一步其中所述第二器件包括防眩光、防指纹、抗污或抗菌膜。
3.一种处理电子器件的方法，包括：
获得第一物品，所述第一物品包括耦接到载体的第一薄玻璃板，其中所述载体具有第一QCOLED压缩值；
使所述第一物品经受第一处理周期以在所述第一薄玻璃板上形成第一器件，其中在所述第一处理周期之后，所述载体具有小于或等于所述第一QCOLED压缩值的第二QCOLED压缩值；
从所述载体移除所述第一薄玻璃板；
将所述载体耦接到第二薄玻璃板以形成第二物品；以及
使所述第二物品经受第二处理周期以在所述第二薄玻璃板上形成第二器件，其中在所述第二处理周期之后，所述载体的QCOLED压缩值下降≤5％。
4.一种处理电子器件的方法，包括：
获得第一物品，所述第一物品包括耦接到载体的第一薄玻璃板以及耦接到所述第一薄玻璃板和所述载体的第二薄玻璃板，其中所述第一薄玻璃板具有第一QCOLED压缩值；
使所述第一物品经受第一处理周期以在所述第二薄玻璃板上形成第一器件，其中在所述第一处理周期之后，所述第一薄玻璃板具有比所述第一QCOLED压缩值小的第二QCOLED压缩值；
从所述第一物品移除所述第二薄玻璃板以便形成第二物品；以及
使所述第二物品经受第二处理周期以在所述第一薄玻璃板上形成第二器件。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述载体是完全退火的。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二薄玻璃板位于所述载体的与所述第一薄玻璃板相同的一侧上。
7.根据权利要求1、3或4中任一项所述的方法，其特征在于，在所述第二处理周期期间所使用的最大处理温度小于在所述第一处理周期期间所使用的最大处理温度。
8.根据权利要求1、3或4中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一处理周期包括在大于450℃至≤700℃的范围内的最大温度。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二处理周期包括≤450℃的最大温度。
10.根据权利要求1、3或4中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一处理周期包括在大于250℃至≤450℃的范围内的最大温度。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第二处理周期包括≤250℃的最大温度。
12.根据权利要求1、3或4中任一项所述的方法，其特征在于，所述第二处理周期最大温度大于所述第一处理周期中的最大温度。
13.根据权利要求1、3或4中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一处理周期包括在大于250℃至≤450℃的范围内的最大温度。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第二处理周期最大温度在大于450℃至≤700℃的范围内。
15.根据权利要求1、3或4中任一项所述的方法，进一步包括：在所述载体的与在处理期间所述薄玻璃板所位于的一侧相对的一侧上提供保护层。
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