[发明专利]包封薄膜和使用该包封薄膜包封有机电子装置的方法有效
申请号: | 201480029831.X | 申请日: | 2014-05-21 |
公开(公告)号: | CN105247699B | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | 柳贤智;李承民;金贤硕;张锡基;文晶玉 | 申请(专利权)人: | LG化学株式会社 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H05B33/04;H05B33/10 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 顾晋伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 使用 有机 电子 装置 方法 | ||
技术领域
本申请涉及一种包封薄膜和使用该包封薄膜包封有机电子装置(OED)的方法。
背景技术
OED是一种包括利用空穴和电子产生电荷交换的有机材料层的装置,例如,OED可以是光伏器件、整流器、发射机和有机发光二极管(OLED)。
OED之中的OLED与传统光源相比,功耗更少并具有更高的响应速度,优选作为薄型显示装置或发光体。另外,OLED具有优异的空间利用性,因此有望应用于包括各种便携式装置、监视器、笔记本电脑和TV的多种领域中。
为了扩展OLED的商业化和用途,最重要的问题是耐久性。OLED中包括的有机材料和金属电极非常容易因外部因素例如湿气而被氧化。因此,包括OLED的产品对环境因素非常敏感。为了解决上述问题,采用用于OED的密封剂。然而,对于稀薄密封剂的自动输给工艺(automatic logistics process)是困难的,在将密封剂粘附于基底的过程中由于逐渐变短的窗口(gradually-shorter bezel)而可能易于发生例如对准错误(align errors)的缺陷。因此,需要解决这些问题的方法。
发明内容
技术问题
本申请的目的在于提供一种包封薄膜、使用该包封薄膜包封OED的产品以及包封OED的方法。
技术方案
在下文中,参考附图,将更详细地描述本申请的示例性实施方案。另外,为了说明本申请,将省略对于已知的一般性功能或结构的详细描述。此外,示意性地提供附图以有助于理解本申请和更清楚地解释本申请,将省略与这些描述无关的部件,厚度被放大以清楚地表示数层和数个区域,本申请的范围不局限于附图中所示的厚度、尺寸和比例。
本申请的一个方面提供一种可以用于粘附OED的整个表面的包封薄膜。所述包封薄膜包括包含金属层和包封树脂的单层或者多层包封层。
本说明书所用术语“有机电子装置(OED)”是指一种具有如下结构的产品或装置:该结构在一对彼此面对的电极之间包括利用空穴与电子产生电荷交换的有机材料层,且OED可以是但不限于,例如光伏器件、整流器、发射机和有机发光二极管(OLED)。在本申请的一个示例性实施方案中,所述OED可以是OLED。
根据本申请的示例性实施方案,所述包封薄膜包封OED的整个表面,其可以包括金属层和包封层,该包封层包含包封树脂且在室温下拉伸模量为0.001至500MPa。
用于本申请的包封层的材料只要其符合所述拉伸模量的范围就不特别限制。除非另有特别限定,于此使用的拉伸模量是在温度25℃下测定的拉伸模量。另外,除非另有特别限定,于此使用的拉伸模量可以是指固化之后测定的可固化成分的拉伸模量。在一个实施例中,所述拉伸模量可以是指在约100℃固化约120分钟之后测定的拉伸模量、在以约1J/cm2或大于1J/cm2的辐射剂量辐射紫外线之后测定的拉伸模量或者在紫外辐射之后又进行热固化后测定的拉伸模量。
如上所述,所述包封层在室温下拉伸模量可以为0.001至500MPa,例如,0.001至490MPa,0.001至480MPa,0.001至470MPa,0.001至460MPa,0.001至450MPa,0.001至440MPa,0.001至430MPa,0.001至420MPa,0.001至410MPa,0.001至400MPa,0.05至450MPa,0.1至450MPa,0.2至450MPa,0.3至450MPa,或者0.5至450MPa。当所述包封层的拉伸模量控制在特定的范围内,具有缺陷例如经历特定温度下加工的包封薄膜的对准错误的缺陷的机会可以最小化。
根据本申请的示例性实施方案的金属层可以是透明的或者不透明的。形成所述金属层的材料或者方法不特别限制,只要其满足热膨胀系数范围。例如,所述金属层可以为薄膜型金属箔,或者为通过将金属沉积在聚合物基底上形成的层。所述金属层可以为任意一种能够具有导热性和防湿性的金属层。该金属层可以包含金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氮氧化物、金属硼氧化物及其混合物中的任意一种。例如,该金属层可以包含金属氧化物,例如氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡、氧化钽、氧化锆、氧化铌及其混合物。所述金属层可以利用电解、滚轧、蒸发、电子束蒸发、溅射、反应溅射、化学气相沉积、等离子体化学气相沉积或者电子回旋加速器共振源等离子体化学气相沉积而被沉积。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG化学株式会社,未经LG化学株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480029831.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有增加的热导率的纳米多孔复合分隔物
- 下一篇:多沟道晶体管
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择