[发明专利]半导体晶片保护用膜及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201480030286.6 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105247661B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 森本哲光;片冈真;福本英树 | 申请（专利权）人： | 三井化学东赛璐株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B32B27/30;C09J7/20;C09J133/00;H01L21/301 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金鲜英;涂琪顺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 保护 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体晶片保护用膜，其具有基材层(A)以及形成于所述基材层(A)上的粘着层(C)，
所述基材层(A)包含聚合物，所述聚合物利用van Krevelen法求出的溶解参数为9以上，
所述聚合物包含赋予扩展性的成分作为共聚物成分，所述赋予扩展性的成分单体的熔点为40℃以下。
2.根据权利要求1所述的半导体晶片保护用膜，所述赋予扩展性的成分包含二醇。
3.根据权利要求1所述的半导体晶片保护用膜，所述赋予扩展性的成分包含聚丁二醇。
4.根据权利要求1所述的半导体晶片保护用膜，所述基材层(A)和所述粘着层(C)之间进一步具有吸收层(B)，
所述吸收层(B)包含丙烯酸系聚合物，凝胶分率为30～90重量％。
5.根据权利要求4所述的半导体晶片保护用膜，所述吸收层(B)在25℃、频率1Hz时的储存弹性模量Gb为0.01MPa以上1MPa以下。
6.根据权利要求4所述的半导体晶片保护用膜，所述基材层(A)与所述吸收层(B)的至少一部分接触。
7.根据权利要求1所述的半导体晶片保护用膜，所述粘着层(C)包含丙烯酸系聚合物，凝胶分率为30～90重量％。
8.根据权利要求1所述的半导体晶片保护用膜，所述粘着层(C)在25℃、频率1Hz时的储存弹性模量Gc为0.01MPa以上10MPa以下。
9.根据权利要求1所述的半导体晶片保护用膜，所述基材层(A)仅由所述溶解参数为9以上的聚合物构成。
10.一种半导体装置的制造方法，其包括：
第一工序，权利要求1至9中任一项所述的半导体晶片保护用膜介由其粘着层(C)而贴附于半导体晶片；以及
第二工序，将所述半导体晶片与所述半导体晶片保护用膜一起用溶剂洗涤。
11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，在贴附有所述半导体晶片保护用膜的一侧的所述半导体晶片的表面，设有5μm～200μm的高低差。
12.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，
在第二工序之后，进一步包括：
第三工序，将所述半导体晶片与所述半导体晶片保护用膜一起切割，得到半导体芯片；以及
第四工序，将所述半导体晶片保护用膜沿水平方向扩展，从所述半导体晶片保护用膜拾取所述半导体芯片。
13.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，
在所述第一工序中，
在温度20～80℃、压力0.3～0.5MPa下，将所述半导体晶片保护用膜贴附于所述半导体晶片的表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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