[发明专利]半导体晶片保护用膜及半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供半导体晶片保护用膜，其具有基材层(A)和形成于上述基材层(A)上的粘着层(C)，上述基材层(A)包含聚合物，上述聚合物利用van Krevelen法求出的溶解参数为9以上。

技术领域

本发明涉及半导体晶片保护用膜及半导体装置的制造方法。

背景技术

在使用半导体晶片的半导体装置的制造方法中，支撑体介由粘接层与半导体电路面接合，并以半导体电路面受到保护的状态从另一面研磨半导体晶片。然后，在半导体晶片被研磨的面，贴附切割胶带，去除支撑体，进行切割。

在研磨时，作为保护半导体电路面的方法，有时使用保护胶带来代替支撑体，尤其对于包括在半导体晶片的上下方向形成电连接部即被称为贯通电极的工序的半导体晶片的情况下，由于半导体晶片薄且工序中包括加热工序，因此，通常将耐热性、半导体晶片的支撑性更优异的支撑体与具有耐热性的粘接层一起使用。

作为去除这样的支撑体的方法，有如下方法：一边加热一边使支撑体与半导体晶片沿水平相反的方向滑动的方法；将半导体晶片或支撑体中的一方固定并将另一方赋予角度而提拉的方法；将粘接层用溶剂溶解的方法等(专利文献1)。

作为利用将粘接层用溶剂溶解的方法的技术，例如，有专利文献2所记载的技术。

专利文献2中记载了，使用预先形成了贯通孔和沟的支撑板，介由粘接剂层与半导体晶片粘合而薄板化后，贴附切割胶带。然后，利用支撑板的贯通孔和沟供给溶剂而溶解粘接剂层，从而将支撑板与半导体晶片剥离。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-144616号公报

专利文献2：日本特开2007-158124号公报

发明内容

发明所要解决的课题

然而，专利文献2所记载的技术没有关注切割胶带对于溶解粘接剂层时所使用的溶剂的耐性。因此，会因溶剂而产生切割胶带的粘接性、扩展性、形状追随性等特性降低等问题。

本发明是鉴于上述情况而完成的发明，其涉及使用表面平滑的半导体晶片时的耐溶剂性良好的半导体晶片保护用膜和使用其的半导体装置的制造方法。

用于解决课题的方法

本发明人首次关注并深入研究了在这样的半导体装置的制造工序，尤其在切割工序中所使用的半导体晶片保护用膜的耐溶剂性，其结果发现了以下的新见解：基材层所包含的聚合物的利用van Krevelen(范克雷维伦)法求出的溶解度参数成为良好指标。

即，本发明提供一种半导体晶片保护用膜，其具有：

基材层(A)以及形成于上述基材层(A)上的粘着层(C)，

上述基材层(A)包含聚合物，上述聚合物利用van Krevelen法求得的溶解参数为9以上。

此外，本发明提供一种半导体装置的制造方法，其包括：

上述半导体晶片保护用膜介由其粘着层(C)贴附于半导体晶片的第一工序；以及

将上述半导体晶片与上述半导体晶片保护用膜一起利用溶剂洗涤的第二工序。

发明效果

根据本发明，可提供在使用表面平滑的半导体晶片时的耐溶剂性良好的半导体晶片保护用膜及使用其的半导体装置的制造方法。

附图说明

上述目的以及其他目的、特征和优点可通过下述的优选实施方式及其所附带的以下附图而进一步清晰。