[发明专利]半导体集成电路及包括该半导体集成电路的数据接口系统有效
申请号: | 201480030636.9 | 申请日: | 2014-03-31 |
公开(公告)号: | CN105283854B | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
发明(设计)人: | 久保浩纪;沟端教彦;平野诚;铃木章宏;武内昌弘 | 申请(专利权)人: | 株式会社索思未来 |
主分类号: | G06F12/00 | 分类号: | G06F12/00;G06F1/26 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 韩聪 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 包括 数据 接口 系统 | ||
1.一种半导体集成电路,其特征在于:所述半导体集成电路利用使输出电压动态变化的第一电源集成电路供给的电压而工作,并且与外部存储器之间收发数据,所述半导体集成电路具备:
接口电路,所述接口电路接收不同于所述第一电源集成电路且与所述第一电源集成电路相独立地使输出电压动态变化的第二电源集成电路供给的电压来作为电源电压而工作,并访问所述外部存储器,以与所述外部存储器之间收发数据;
判断电路,所述判断电路基于所述接口电路的访问结果判断所述外部存储器与所述接口电路之间的交流定时,并基于该交流定时生成用于控制所述第二电源集成电路的输出电压的控制信息;以及
电压控制电路,所述电压控制电路根据所述控制信息控制所述第二电源集成电路的输出电压。
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路,其特征在于:
在所述交流定时大于规定值的情况下,所述判断电路生成使所述第二电源集成电路的输出电压降低的所述控制信息,另一方面,在所述交流定时小于所述规定值的情况下,所述判断电路生成使所述第二电源集成电路的输出电压升高的所述控制信息。
3.根据权利要求1所述的半导体集成电路,其特征在于:具备:
测试电路,所述测试电路指示所述接口电路执行对所述外部存储器的访问测试;
标准电路,所述标准电路指示所述接口电路执行对所述外部存储器的通常访问;以及
协调电路,所述协调电路协调由所述测试电路发出的所述访问测试的指示和由所述标准电路发出的所述通常访问的指示;
所述电压控制电路指示所述测试电路开始所述访问测试,
所述判断电路基于根据所述访问测试的结果获得的所述交流定时而生成所述控制信息。
4.根据权利要求1所述的半导体集成电路,其特征在于:
所述半导体集成电路具备温度探测部,所述温度探测部探测所述接口电路的温度,并输出表示所述温度的变化量在规定值以上或者所述温度为规定值的信息,
所述电压控制电路基于来自所述温度探测部的输出时刻来控制所述第二电源集成电路的输出电压。
5.根据权利要求1所述的半导体集成电路,其特征在于:
所述半导体集成电路具备工艺探测部,所述工艺探测部探测所述接口电路的固有制造偏差,并基于所述制造偏差输出所述第二电源集成电路应该输出的电压的信息,
所述电压控制电路基于所述工艺探测部的输出来控制所述第二电源集成电路的输出电压。
6.根据权利要求1所述的半导体集成电路,其特征在于:
所述半导体集成电路具备电压监视电路,所述电压监视电路探测从所述第二电源集成电路供向所述接口电路的电压,并输出表示所述电压的变化量在规定值以上或者所述电压为规定值的信息,
所述电压控制电路基于来自所述电压监视电路的输出时刻来控制所述第二电源集成电路的输出电压。
7.根据权利要求1所述的半导体集成电路,其特征在于:
所述半导体集成电路具备表电路,所述表电路中存储有关于所述第二电源集成电路应该输出的电压的信息,
所述判断电路参照所述表电路来生成所述控制信息。
8.根据权利要求7所述的半导体集成电路,其特征在于:
所述第二电源集成电路应该输出的电压值和交流定时以建立对应关系的方式存储在所述表电路中,其中,所述交流定时以所述接口电路以及所述外部存储器能够进行正常的数据收发的方式设定。
9.根据权利要求8所述的半导体集成电路,其特征在于:
存储在所述表电路中的交流定时是以下述方式设定的,即:
所述第二电源集成电路的电压被所述电压控制电路改变后的交流定时的中间值落在所述第二电源集成电路的电压被改变前的交流定时的范围内。
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