[发明专利]电子照相感光构件、处理盒、电子照相设备和酞菁晶体

权利要求书

1.一种电子照相感光构件，其包括

支承体；和

形成在所述支承体上的感光层；

其特征在于，所述感光层包含：

酞菁晶体，所述酞菁晶体含有由下式(1)表示的化合物；

其中

R¹表示甲酰基、乙酰基、苯甲酰基、烷氧基羰基、苄氧基羰基、烯基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂环基，条件是，作为所述取代的芳基的取代基，排除乙酰基和苯甲酰基。

2.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中

所述式(1)中的R¹是甲酰基、乙酰基、苯甲酰基、烷氧基羰基、苄氧基羰基、烯基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂环基；

所述取代的烷基的取代基是烷氧基、吗啉基烷氧基、二烷基氨基、烷氧基羰基、芳基、芳氧基、卤素原子、氰基或吗啉基；

所述取代的芳基的取代基是烷基、烷氧基、二烷基氨基、烷氧基羰基、卤素原子、硝基、氰基、甲酰基或吗啉基；和

所述取代的杂环基的取代基是烷基、烷氧基、二烷基氨基、烷氧基羰基、卤素原子、硝基、氰基、甲酰基或吗啉基。

3.根据权利要求2所述的电子照相感光构件，其中

所述式(1)中的R¹是取代或未取代的烷基，并且

所述取代的烷基的取代基是烷氧基、吗啉基烷氧基、二烷基氨基、烷氧基羰基、芳基、卤素原子、氰基或吗啉基。

4.根据权利要求3所述的电子照相感光构件，其中所述式(1)中的R¹是甲基、乙基或苄基。

5.根据权利要求2所述的电子照相感光构件，其中

所述式(1)中的R¹是取代或未取代的苯基，并且

所述取代的苯基的取代基是烷基、烷氧基、卤素原子、甲酰基、氰基或硝基。

6.根据权利要求5所述的电子照相感光构件，其中所述式(1)中的R¹是未取代的苯基。

7.根据权利要求1-6任一项所述的电子照相感光构件，其中所述酞菁晶体是镓酞菁晶体。

8.根据权利要求7所述的电子照相感光构件，其中所述镓酞菁晶体是其中含有N,N-二甲基甲酰胺的镓酞菁晶体。

9.根据权利要求7或8所述的电子照相感光构件，其中所述镓酞菁晶体是羟基镓酞菁晶体。

10.根据权利要求9所述的电子照相感光构件，其中所述羟基镓酞菁晶体是在使用CuKα辐射的X射线衍射中在布拉格角2θ为7.4°±0.3°和28.3°±0.3°处具有峰的羟基镓酞菁晶体。

11.根据权利要求1-10任一项所述的电子照相感光构件，其中在所述酞菁晶体中所述由式(1)表示的化合物的含量是0.01质量％以上且3质量％以下。

12.一种处理盒，其特征在于，其一体化支承：根据权利要求1-11任一项所述的电子照相感光构件；和选自由充电装置、显影装置、转印装置和清洁装置组成的组的至少一种装置，所述处理盒可拆卸地安装至电子照相设备的主体。

13.一种电子照相设备，其特征在于，其包括：

根据权利要求1-11任一项所述的电子照相感光构件；和

充电装置、曝光装置、显影装置和转印装置。

14.一种酞菁晶体，其特征在于，其含有由下式(1)表示的化合物：

其中R¹表示甲酰基、乙酰基、苯甲酰基、烷氧基羰基、苄氧基羰基、烯基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂环基，条件是，所述芳基的取代基不是乙酰基或苯甲酰基。