[发明专利]电子照相感光构件、处理盒、电子照相设备和酞菁晶体

说明书

技术领域

本发明涉及电子照相感光构件、各自具有电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备、和酞菁晶体。

背景技术

因为在电子照相领域中通常用作图像曝光装置的半导体激光器的振荡波长在650至820nm的长波长范围内，对在该长波长范围内的光具有高的感光度的电子照相感光构件现在正在开发。

酞菁颜料作为对范围为此类长波长区域的光具有高的感光度的电荷产生物质是有效的。特别是氧钛酞菁和镓酞菁具有优异的感光度特性，并且迄今已经报道了各种晶型。

虽然使用酞菁颜料的电子照相感光构件具有优异的感光度特性，但问题在于，生成的光载流子趋于残存在感光层中从而用作记忆体，容易导致例如重影等电位变化。

专利文献1公开了在酸溶法期间特定的有机电子受体向酞菁颜料中的添加具有敏化效果。然而，所述方法具有的问题在于，添加剂(有机电子受体)可以进行化学变化，并且向期望的晶型的变换在一些情况下会困难。

专利文献2公开了颜料和特定的有机电子受体的湿式粉碎处理使得同时晶型变换和在晶体的表面中有机电子受体的引入，导致改善的电子照相性能。

专利文献3公开了一种包含极性有机溶剂的羟基镓酞菁晶体。在使用例如N,N-二甲基甲酰胺等变换溶剂的情况下，将极性有机溶剂引入至晶体，使得获得具有优异的感光度特性的晶体。

引用列表

专利文献

专利文献1：日本专利申请特开No.2001-40237

专利文献2：日本专利申请特开No.2006-72304

专利文献3：日本专利申请特开No.H7-331107

发明内容

发明要解决的问题

如上所述，已经做出各种尝试来改善电子照相感光构件。

近年来，为了进一步改善高品质图片，期望防止在各种环境下由于重影导致的图像劣化。在根据专利文献2的方法中，有机电子受体没有充分地包含于生产的酞菁晶体中，所述有机电子受体处于简单的混合物状态或附着至表面。因此，存在改善的需要。发现的是，在专利文献3记载的方法中，生成的光载流子容易残存在感光层中从而用作记忆体，在一些情况下容易导致例如重影等电位变化。

本发明的目的是提供一种电子照相感光构件，其不仅在常温常湿环境下，而且在低温低湿环境下，特别是在严苛条件下，降低由于重影导致的图像缺陷。此外，本发明的目的是提供各自具有所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。

另外，本发明的目的是提供一种在晶体内包含特定的4-哌啶酮化合物的酞菁晶体。

用于解决问题的方案

根据本发明的一个方面，提供一种电子照相感光构件，其包括：支承体；和形成在所述支承体上的感光层；其中所述感光层包含其中含有由下式(1)表示的化合物的酞菁晶体：

式(1)

其中R¹表示甲酰基、乙酰基、苯甲酰基、烷氧基羰基、苄氧基羰基、烯基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂环基，条件是，作为取代的芳基的取代基，排除乙酰基和苯甲酰基。

根据本发明的另一方面，提供一种处理盒，其一体化支承电子照相感光构件，和选自由充电装置、显影装置、转印装置和清洁装置组成的组的至少一种装置，所述处理盒可拆卸地安装至电子照相设备的主体。

根据本发明的又一方面，提供一种电子照相设备，其具有电子照相感光构件，和充电装置、曝光装置、显影装置以及转印装置。

根据本发明的又一方面，提供一种在晶体内包含由下式(1)表示的化合物的酞菁晶体。

式(1)

其中R¹表示甲酰基、乙酰基、苯甲酰基、烷氧基羰基、苄氧基羰基、烯基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂环基，条件是，作为取代的芳基的取代基，排除乙酰基和苯甲酰基。

发明的效果

本发明可以提供一种电子照相感光构件，其不仅可以在常温常湿环境下，而且可以在低温低湿环境下，特别是在严苛条件下，输出具有降低的由于重影导致的图像缺陷的图像。本发明还可以提供各自具有电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。

本发明还可以提供一种作为电荷产生物质的具有优异性能的酞菁晶体。