[发明专利]基于NAND串电流检测编程字线

权利要求书

1.一种用于操作非易失性存储器设备的方法，包括：

在将读取通过电压(Vpass)施加至多个字线(WL0至WL63)的同时，测量通过多个NAND串(NS0至NSn-1；NSa0至NSan-1；NSb0至NSbn-1)的组合电流作为参考组合电流(Iref)，所述多个NAND串包括多个存储器单元(301至307，311至317，321至327；700至703，710至713，720至723)，并且所述多个字线连接至所述多个存储器单元；以及

识别所述多个字线中的作为编程字线(WL0至WL5)的一个或更多个所选字线，针对所述一个或更多个所选字线中的每一个，所述识别包括：在将分界电压(Vdem)施加至所述所选字线并且将所述读取通过电压施加至所述多个字线中的其余字线的同时，测量通过所述多个NAND串的附加组合电流(Iadd)，并且确定所述附加组合电流是否比所述参考组合电流小了至少预定裕量。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

识别所述一个或更多个所选字线是针对所述多个字线中的不同的所选字线而执行的，直到确定所述多个字线中的作为编程字线的字线的数目(Nwl)为止。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，

识别所述一个或更多个所选字线是针对所述多个字线中的不同的所选字线一次对一个所选字线而执行的。

4.根据权利要求2或3所述的方法，还包括：

针对所述多个NAND串执行擦除操作，所述擦除操作包括以下擦除验证测试：使所述擦除验证测试在所述数目小时相对难以通过而在所述数目大时相对易于通过。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，

测量通过所述多个NAND串的所述组合电流作为所述参考组合电流并且识别所述多个字线中的作为编程字线的一个或更多个所选字线是响应于针对所述多个NAND串执行所述擦除操作的命令而执行的。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，

通过根据所述数目调节以下中的至少一个来使所述擦除验证操作在所述数目小时相对难以通过而在所述数目大时相对易于通过：字线电压(VvE)、源极线电压(Vsl)、感测时间(tsense)、电流跳闸电平(Itrip)、电压跳闸电平(Vtrip)或者位线电压(Vbl)。

7.根据权利要求2或3所述的方法，进一步包括：

基于所述多个字线中的最后编程字线(WL5)确定所述多个字线中的下一字线(WL6)，以用于进行编程。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，

识别所述一个或更多个所选字线是根据所述多个字线的编程顺序或者根据随机顺序针对所述多个字线中的不同的所选字线而执行的。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，

识别所述一个或更多个所选字线是以下述方式而执行的：针对所述多个字线中的一个字线执行，紧接着继之以针对所述多个字线中的另一字线执行，其中，所述一个字线与所述另一字线隔开至少一个其它字线。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述读取通过电压是足以使所述多个存储器单元处于导通状态的高电压；以及

所述分界电压处于使擦除的存储器单元处于导通状态而使编程的存储器单元处于非导通状态的电平处。