[发明专利]粘合片以及使用该粘合片的电子元件的制造方法有效
申请号: | 201480031673.1 | 申请日: | 2014-06-10 |
公开(公告)号: | CN105264035B | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | 津久井友也;久米雅士;齐藤岳史 | 申请(专利权)人: | 电化株式会社 |
主分类号: | C09J7/02 | 分类号: | C09J7/02;C09J11/06;C09J133/06;C09J133/14;H01L21/301 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 粘合 以及 使用 电子元件 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种粘合片及使用该粘合片的电子元件的制造方法。
背景技术
通常,对于半导体晶圆,在形成电路后贴合粘合片,并将其切割(dicing)成元件小片,之后进行清洗、干燥、粘合片的延展(expanding)、自粘合片的元件小片的拾取(pickup)、安装(mounting)等各个工序。作为在这些工序中所使用的切割用及/或搬运用的粘合片,专利文献1中记载了在基材上使用聚氯乙烯的技术。
另外,作为粘着剂组成物,专利文献2中记载了使用(甲基)丙烯酸共聚物的组成物。
专利文献
专利文献1:日本特开2006-049509号公报
专利文献2:日本特开2007-246633号公报
然而,现有作为基材使用了聚氯乙烯的粘合片,随着时间经过会出现可塑剂从基材转移至粘着剂层的现象,导致拾取工序的芯片拾取性发生问题。
此外,将粘合片使用于晶圆或封装基板等被粘体的切割时,有两种情形,一是将粘合片贴合到被粘体上并加温至75℃左右后再进行切割的情形,二是不加热而直接切割的情形。加温是在被粘体与粘合片之间的粘着性不佳时,为了提高被粘体与粘合片之间的粘着性以防止芯片飞散所进行的,但是,进行加温后,切割后的芯片的拾取性可能会劣化。
另外,若将粘着剂的组成调整为即使进行加温也不会使切割后的芯片的拾取性劣化,则可能会发生未加温时的粘着性劣化的情形。
由于会出现上述情形,因此,根据现有技术,很难在无加温的生产线与有加温的生产线使用相同粘合片,而只能分别使用专门为了无加温或有加温而设计的不同粘合片。
发明内容
有鉴于此,本发明提供在拾取工序中芯片的拾取性不会随时间经过而劣化、且可使用于切割前有加温工序及无加温工序的两种生产线的粘合片,以及使用该粘合片的电子元件的制造方法。
本发明所提供的粘合片,其由在基材膜上形成有粘着剂层而成,所述基材膜含聚氯乙烯与聚酯类可塑剂,所述粘着剂层由粘着剂组成物所成,其中,所述粘着剂组成物含有100质量份的(甲基)丙烯酸共聚物以及0.01~5质量份的异氰酸酯类硬化剂,所述(甲基)丙烯酸共聚物含有40~90质量%的(甲基)丙烯酸丁酯单元、5~55质量%的(甲基)丙烯酸甲酯单元以及0.1~10质量%的含羟基的单体单元,所述(甲基)丙烯酸共聚物的重量平均分子量是40~100万。
本发明的发明人为解决芯片的拾取性随时间经过劣化的问题而进行了精心研究,结果发现作为粘着剂组成物使用将(甲基)丙烯酸共聚物当作基底树脂者,并且作为可塑剂使用聚酯类可塑剂时,可防止芯片的拾取性随时间经过劣化的问题。
并且,为开发可同时使用于无加热工序的生产线及有加热工序的生产线的粘合片也进行了研究,结果发现将上述组成的(甲基)丙烯酸共聚物当成基底树脂,使其含有上述含量的异氰酸酯类硬化剂,且将环氧树脂硬化剂的含量限制在上述范围内时,无论是否加温,均可拥有良好的芯片保持性及拾取性,以致完成本发明。
本发明中尤为重要的是:藉由有特定组成的(甲基)丙烯酸共聚物与有特定组成的硬化剂的组合,才能得到无论是否有加温工序均能获得实现良好的芯片保持性以及拾取性等优越特性的粘合片。本发明的发明人使用各种组成的(甲基)丙烯酸共聚物与各种组成的硬化剂的组合进行了实验,然而只要共聚物与硬化剂的任何一个组成在上述范围之外,均会导致无加温工序及/或有加温工序时的芯片保持性及/或拾取性劣化,因此,无法获得期望的粘合片。
优选地,所述(甲基)丙烯酸共聚物中,所述(甲基)丙烯酸丁酯单元的含量是50~80质量%、所述(甲基)丙烯酸甲酯单元的含量是15~45质量%。
优选地,所述含羟基的单体是丙烯酸2-羟基乙酯。
优选地,所述基材膜中,相对100质量份的聚氯乙烯,含有25~45质量份的聚酯类可塑剂。
优选地,所述聚酯类可塑剂是己二酸类聚酯。
优选地,所述粘合片是切割胶带,所述切割胶带使用于电子元件的制造方法中,所述制造方法包括:(a)于半导体晶圆或基板以及环状框架上贴附切割胶带的贴附工序;(b)切割半导体晶圆或基板而形成半导体芯片或半导体元件的切割工序;(c)拉长粘合片而扩大半导体芯片或半导体元件之间间隔的扩张工序;以及(d)从粘合片上拾取半导体芯片或半导体元件的拾取工序。
优选地,所述制造方法于所述贴附工序之后且所述切割工序之前还包括将贴附有所述粘合片的被粘体加温至60~100℃的加温工序。
具体实施方式
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