[发明专利]具有钝化层的发光二极管

权利要求书

1.一种用于制造光电子半导体芯片的方法，所述方法包括如下方法步骤：

在初始衬底(120)上构成半导体层序列(130)，所述半导体层序列具有第一半导体区域和第二半导体区域(131，132)以及设置在其间的用于产生辐射的有源区(133)；

对所述半导体层序列(130)结构化，其中构成呈隆起部的形式的、具有环绕的侧表面(239)的半导体结构，其方式是，移除包围所述半导体结构的区域中的所述半导体层序列(130)的材料至少直至如下深度，使得在环绕的所述侧表面(239)上露出所述有源区(133)；

构成钝化层(150)，其中所述钝化层(150)设置在所述半导体结构的环绕的所述侧表面(239)上；

在构成所述钝化层(150)之后，在所述半导体结构的区域中构成连接结构，所述连接结构具有能传导的第一连接层和第二连接层(161，162)，所述第一连接层和第二连接层彼此分开，其中所述第一连接层(161)与所述第一半导体区域(131)电连接，并且所述第二连接层(162)经由至少一个贯通孔(260)与所述第二半导体区域(132)电连接；

其中在所述贯通孔(260)的区域中和/或在侧向地环绕所述半导体结构的区域中构成第一镜层；

将所述连接结构与载体衬底(125)连接；以及

移除所述初始衬底(120)。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中构成绝缘层(155)，所述绝缘层将所述第二连接层(162)与所述第一连接层(161)分开。

3.根据权利要求2所述的方法，

其中在所述绝缘层(155)和所述第二连接层(162)之间构成所述第一镜层。

4.根据权利要求1所述的方法，

其中在对所述半导体层序列(130)结构化时，移除所述半导体层序列(130)的材料直至所述初始衬底(120)。

5.根据权利要求1所述的方法，

其中对所述半导体层序列(130)结构化包括执行干法化学的刻蚀工艺。

6.根据权利要求1所述的方法，

其中所述钝化层(150)具有氮化硅。

7.根据权利要求1所述的方法，

其中在对所述半导体层序列(130)结构化时，侧向地在所述半导体结构旁构成呈隆起部形式的另一个半导体结构，其中所述钝化层(150)在所述半导体结构和所述另一个半导体结构之间的沟槽(255)的区域中构成，并且其中所述连接结构在所述另一个半导体结构的区域中构成。

8.根据权利要求1所述的方法，

其中所述第一连接层(161)构成为，使得所述第一连接层(161)具有侧向地包围所述半导体结构并且设置在所述钝化层(150)上的子区域。

9.根据权利要求1所述的方法，

其中在对所述半导体层序列(130)结构化之前，在所述半导体层序列(130)上构成能传导的第二镜层，并且其中所述第一连接层(161)经由传导的所述第二镜层与所述第一半导体区域(131)电连接。

10.根据权利要求1所述的方法，

其中所述贯通孔(260)通过延伸穿过所述第一连接层(161)、所述第一半导体区域(131)和所述有源区(133)进入到所述第二半导体区域(132)中的穿通口形成，所述穿通口在边缘处绝缘，其中在所述穿通口之内设置接触所述第二半导体区域(132)的接触层(163)和所述第二连接层(162)的接触所述接触层(163)的子区域。

11.根据权利要求1所述的方法，

其中在构成所述钝化层(150)之后，用绝缘材料(159)填充侧向地包围所述半导体结构的区域。