[发明专利]具有钝化层的发光二极管

说明书

本发明涉及一种用于制造光电子半导体芯片的方法。所述方法包括：在初始衬底(120)上构成半导体层序列(130)和对半导体层序列(130)结构化，其中构成呈隆起部的形式的、具有环绕的侧表面(239)的半导体结构(230，232)，其方式是，移除包围半导体结构(230，232)的区域中的半导体层序列(130)的材料直至如下深度，使得在环绕的侧表面(239)上露出半导体层序列(130)的有源区(133)。所述方法还包括：构成钝化层(150)，其中钝化层(150)设置在半导体结构(230，232)的环绕的侧表面(239)上；在构成钝化层(150)之后在半导体结构(230，232)的具有至少一个贯通孔(260)的区域中构成连接结构；将连接结构与载体衬底(125)连接；和移除初始衬底(120)。本发明还涉及一种光电子半导体芯片。

技术领域

提出一种光电子半导体芯片和一种用于制造光电子半导体芯片的方法。光电子半导体芯片具有：载体衬底；半导体本体，所述半导体本体具有用于产生辐射的有源区；和连接结构，所述连接结构具有至少一个贯通孔。在此描述的方法尤其设置用于制造在此描述的光电子半导体芯片，使得全部针对所述方法所描述的特征也针对光电子和半导体芯片公开并且反之亦然。

发明内容

本发明的目的在于：提出一种用于改进的光电子半导体芯片的解决方案。

光电半导体芯片的可行的制造包括：在初始衬底上构成半导体层序列，所述半导体层序列具有带有不同的传导类型的两个半导体区域和设置在其之间的用于产生光辐射的有源区；和在半导体层序列的具有贯通孔的区域中构成连接结构，使得不同的半导体区域能够彼此分开地接触。接下来，将这种设置转移到载体衬底上，其方式是，连接结构以键合工艺与载体衬底连接。

紧接着，移除初始衬底，并且以湿法化学的刻蚀工艺对半导体层序列结构化。由此，构成呈台面状的隆起部形式的半导体结构，所述隆起部在半导体芯片中用作为用于输出光辐射的半导体本体。该半导体本体也称作为台面。为了保护半导体本体，在半导体本体的环绕的侧表面和前侧的表面上大面积地构成钝化层。钝化层由一种或多种介电材料并且在光辐射吸收小的方面构成。为了制成半导体芯片，执行其他的工艺，例如侧向地在半导体本体旁构成适合于引线键合的接触面。

在上文中所描述的、例如在制造所谓的UX：3芯片(欧司朗的产品名称)时能够应用的工艺流中，能够在半导体本体的侧表面的区域中产生污染，由此损坏半导体芯片的运行。半导体层序列的结构化，这在转移到载体衬底上并且移除初始衬底之后执行，会由于上述工艺进而由于存在于载体衬底上的材料和层引起：颗粒、例如银颗粒，或者层在不同的半导体区域之间的过渡区域或pn结的区域中堆积在半导体本体的侧表面上。台面棱边的这种污染会引起制成的半导体芯片中的电分流。对于执行耗费的清洁过程的情况而言甚至也会出现堆积。

根据一个方面，提出一种用于制造光电子半导体芯片的方法。所述方法包括：在初始衬底上构成半导体层序列，所述半导体层序列具有第一和第二半导体区域和设置在其之间的用于产生辐射的有源区；和对半导体层序列结构化，其中半导体结构以具有环绕的侧表面的隆起部的形式构成。在结构化时，在包围(待制造的)半导体结构的区域中移除半导体层序列的材料至少至如下深度，使得露出环绕的侧表面上的有源区。所述方法还包括：构成钝化层，其中钝化层(至少)设置在半导体结构的环绕的侧表面上；并且在构成钝化层之后，在半导体结构的区域中构成连接结构。连接结构具有能传导的第一和第二连接层，所述第一和第二连接层彼此分开。第一连接层与第一半导体区域电连接，并且第二连接层经由至少一个贯通孔与第二半导体区域电连接。所述方法还包括：将连接结构与载体衬底连接；和移除初始衬底。移除初始衬底能够在将连接结构与承载衬底连接之后进行。