[发明专利]陶瓷电子元器件及其制造方法有效
申请号: | 201480032917.8 | 申请日: | 2014-05-08 |
公开(公告)号: | CN105283932B | 公开(公告)日: | 2018-01-09 |
发明(设计)人: | 北田惠理子;伊藤弘将;佐佐木努 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01C7/04 | 分类号: | H01C7/04;H01C7/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 周全 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 电子元器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种陶瓷电子元器件,包含:
陶瓷坯体;
焙烧外部电极,通过在所述陶瓷坯体上焙烧包含导电性材料及玻璃材料的导电性糊料而形成;及
镀敷外部电极,通过在所述焙烧外部电极的表面通过镀敷而形成;
在所述焙烧外部电极与所述陶瓷坯体的界面形成有因所述导电性糊料所包含的玻璃材料而形成的玻璃层,
所述陶瓷坯体具有第1碱度,
所述导电性糊料所包含的玻璃材料具有第2碱度,
所述第1碱度与所述第2碱度的差的绝对值在0.21以下,
所述玻璃层自所述陶瓷坯体与所述焙烧外部电极的界面延伸至未形成所述焙烧外部电极的所述陶瓷坯体的表面。
2.如权利要求1所述的陶瓷电子元器件,其特征在于,
延伸至所述陶瓷坯体的表面的玻璃层在所述焙烧外部电极的外缘延伸10μm以上,且所述焙烧外部电极的外缘的整个四周不与所述陶瓷坯体的表面接触。
3.如权利要求1或2所述的陶瓷电子元器件,其特征在于,
在所述陶瓷坯体上焙烧所述导电性糊料时的最高温度比所述导电性糊料所包含的玻璃材料的软化点高30℃以上。
4.如权利要求1或2所述的陶瓷电子元器件,其特征在于,
所述玻璃层的、在形成所述镀敷外部电极时所使用的镀敷液中浸渍5小时后的镀敷液溶解性为3.3%以下。
5.如权利要求1或2所述的陶瓷电子元器件,其特征在于,
所述导电性材料包含Cu、含Cu的合金、Ag、含Ag的合金、Pd、及含Pd的合金的至少1种。
6.一种陶瓷电子元器件的制造方法,包括以下步骤:
烧成陶瓷坯体;
在所述陶瓷坯体上涂布包含导电性材料及玻璃材料的导电性糊料;
焙烧所涂布的所述导电性糊料而在所述陶瓷坯体上形成焙烧外部电极,并且在所述焙烧外部电极与所述陶瓷坯体的界面、及自该界面延伸至未形成所述焙烧外部电极的所述陶瓷坯体的表面形成因所述导电性糊料所包含的玻璃材料而形成的玻璃层;及
在所述焙烧外部电极的表面形成镀敷外部电极,
所述陶瓷坯体具有第1碱度,
所述导电性糊料所包含的玻璃材料具有第2碱度,
所述第1碱度与所述第2碱度的差的绝对值在0.21以下。
7.如权利要求6所述的陶瓷电子元器件的制造方法,其特征在于,
延伸至所述陶瓷坯体的表面的玻璃层自所述焙烧外部电极的外缘延伸10μm以上,且所述焙烧外部电极的外缘的整个四周不与所述陶瓷坯体的表面接触。
8.如权利要求6或7所述的陶瓷电子元器件的制造方法,其特征在于,
在所述陶瓷坯体上焙烧所述导电性糊料时的最高温度比该导电性糊料所包含的玻璃材料的软化点高30℃以上。
9.如权利要求6或7所述的陶瓷电子元器件的制造方法,其特征在于,
所述玻璃层的、在形成所述镀敷外部电极的步骤中所使用的镀敷液中浸渍5小时后的镀敷液溶解性为3.3%以下。
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