[发明专利]陶瓷电子元器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201480032917.8 申请日: 2014-05-08
公开(公告)号: CN105283932B 公开(公告)日: 2018-01-09
发明(设计)人: 北田惠理子;伊藤弘将;佐佐木努 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01C7/04 分类号: H01C7/04;H01C7/02
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 周全
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 陶瓷 电子元器件 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种在陶瓷坯体上焙烧导电性糊料而形成焙烧外部电极,进而在焙烧外部电极的表面形成有镀敷外部电极的陶瓷电子元器件,更详细而言,本发明涉及在一种在焙烧外部电极的外缘附近的陶瓷坯体的表面形成有因导电性糊料所包含的玻璃材料而形成的玻璃层的陶瓷电子元器件。

此外,本发明涉及一种陶瓷电子元器件的制造方法。

背景技术

陶瓷电子元器件存在如下情况,即,在陶瓷坯体中焙烧导电性糊料而形成焙烧外部电极,进而在焙烧外部电极的表面通过镀敷而形成镀敷外部电极。镀敷外部电极例如以提高安装时的焊接性、或保护焙烧外部电极等为目的而形成。例如,在自焙烧外部电极侧起第1层由Ni层构成且第2层由Sn层构成的镀敷外部电极中,第1层的镀Ni层保护焙烧外部电极免受所谓焊接腐蚀的影响,第2层的镀Sn层有助于提高焊接性。

此外,陶瓷电子元器件的镀敷步骤通常是通过电镀而进行,且所使用的镀敷液为强酸性的情况较多。

此种镀敷步骤在强酸性的镀敷液渗入陶瓷坯体与焙烧外部电极之间时,会腐蚀焙烧外部电极的外缘正下方的陶瓷坯体。进而,在将产生了腐蚀的陶瓷电子元器件安装于电子设备而使用的期间,若因某些原因导致水分附着于该腐蚀部分,则外部电极的金属会离子化,沿电场方向产生迁移。

该迁移可能会成为放电的路径,陶瓷电子元器件短路,进而导致破坏。

此外,陶瓷电子元器件中,有时例如像热敏电阻那样,陶瓷坯体具有导电性。而且,在对此种具有导电性的陶瓷坯体形成镀敷外部电极的情况下,存在镀敷膜不仅附着于焙烧外部电极的表面,而且附着于原本不应附着的陶瓷坯体的表面的情况。而且,若外部电极间因附着于陶瓷坯体的表面的镀敷膜而连接,则外部电极间可能会短路而导致不良。

因此,现有的陶瓷电子元器件中,在镀敷步骤中,为了不在陶瓷元件的焙烧外部电极的外缘正下方的部分产生由镀敷液导致的腐蚀,此外,为了即便陶瓷元件具有导电性,镀敷膜也不附着于陶瓷元件的表面,而想出了各种办法。

例如,专利文献1(日本专利特开平5-251210号公报)中记载的陶瓷电子元器件(导电性芯片型陶瓷元件)300是利用如下方法制造。

首先,如图7(A)所示,准备未烧成的陶瓷坯体101。

其次,如图7(B)所示,对未烧成的陶瓷坯体101进行烧成而获得烧成过的陶瓷坯体102。

其次,如图7(C)所示,在烧成过的陶瓷坯体102的整个表面,通过真空蒸镀法、溅镀法、离子镀着法那样的物理蒸镀法(PVD法)或化学蒸镀法(CVD法)形成厚度0.1~2μm的由SiO2膜、SiO2与Al2O3等氧化物的薄膜、以SiO2等氧化物为主要成分的玻璃薄膜构成的绝缘性的无机物层103。该无机物层103必须具有比形成后述焙烧电极时的烧成温度要高的熔点或软化点。

其次,如图7(D)所示,在于整个表面形成有无机物层103的陶瓷坯体102的两端部表面,通过浸渍法等涂布包含Ag、Au等金属粉末及无机结合材料的导电性糊料104。作为无机结合材料的例,可列举以SiO2等氧化物为主要成分的硼硅酸类玻璃、硼酸锌类玻璃、硼酸镉类玻璃、硅酸铅锌类玻璃等的玻璃微粒子。所涂布的导电性糊料104中均匀地分散有无机结合材料。

其次,如图7(E)所示,焙烧涂布在陶瓷坯体102的两端部表面的导电性糊料104,形成焙烧外部电极(焙烧电极层)105。此时,导电性糊料104中的无机结合材料与和导电性糊料104接触的无机物层103反应而使无机物层103熔融。接着,熔融后的无机物层103被并入导电性糊料104中。其结果,在陶瓷坯体102与焙烧外部电极105之间不存在无机物层103。

其次,如图7(F)所示,在焙烧外部电极105的表面形成镀Ni外部电极(镀Ni层)106。

最后,如图7(G)所示,在镀Ni外部电极106的表面形成镀Sn外部电极(镀Sn层)107,从而完成现有的陶瓷电子元器件300。

在形成镀Ni外部电极106时、及形成镀Sn外部电极107时,陶瓷坯体102的未形成焙烧外部电极105的表面被无机物层103所保护,因此不会因镀敷液而在陶瓷坯体102的位于焙烧外部电极105的外缘正下方的部分产生腐蚀,此外,镀敷膜不会附着于陶瓷坯体102的表面。

此外,专利文献2(日本专利特开平6-290989号公报)中所记载的陶瓷电子元器件(芯片状电路元器件)400利用如下方法制造。

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