[发明专利]甲苯歧化催化剂的原位修饰焦炭选择性去活化

权利要求书

1.一种用于改性分子筛的方法，其包括：

处理通过至少一种离位硅选择性去活化序列到至少一个原位修饰焦炭选择性去活化序列制备的分子筛，以提供改性的硅选择性去活化分子筛，其中石墨焦炭通过所述原位修饰焦炭选择性去活化序列附着在所述分子筛上。

2.权利要求1的方法，其中所述离位硅选择性去活化序列包括：

使所述分子筛与含硅选择性去活化剂接触以提供硅处理的分子筛；该含硅选择性去活化剂包括硅酮或硅酮聚合物；

煅烧所述硅处理的分子筛以提供煅烧的硅选择性去活化分子筛；

任选蒸汽处理所述煅烧的硅选择性去活化分子筛。

3.前述权利要求中任一项的方法，其中所述分子筛通过2到6个离位硅选择性去活化序列并且包括至少一个蒸汽处理进行改性。

4.权利要求1或2的方法，其中所述分子筛通过2个离位硅选择性去活化序列改性。

5.权利要求3的方法，其中所述分子筛通过3个离位硅选择性去活化序列改性。

6.权利要求1的方法，其中原位修饰焦炭选择性去活化条件包括260-593℃的反应器温度，持续0.1小时到3周，在0.1-20hr^-1的重时空速以及0.0689-2.07MPa-a的氢气分压下操作，和1.72-2.41MPa-g的反应器压力。

7.权利要求6的方法，其中原位修饰焦炭选择性去活化条件包括454-510℃的反应器温度，在1-3hr^-1的重时空速以及0.276-0.827MPa-a的氢气分压下操作。

8.权利要求1的方法，其中硅选择性去活化包括使用二甲基苯基甲基聚硅氧烷。

9.权利要求1的方法，其中所述分子筛包括具有1到12的限制指数的沸石。

10.权利要求9的方法，其中所述分子筛包括ZSM-5。

11.权利要求10的方法，其中所述分子筛包括具有大于0.2微米的晶体尺寸的ZSM-5。

12.权利要求10的方法，其中所述分子筛包括具有0.2微米或更小晶体尺寸的ZSM-5。

13.权利要求1的方法，其中所述分子筛不包含浸渍入其中的金属。

14.权利要求1的方法，其中将所述分子筛在任何硅选择性去活化序列之前与粘结剂结合，其中所述粘结剂为SiO₂和氧化铝中的至少一种。

15.权利要求1的方法，其中将所述分子筛在原位修饰焦炭选择性去活化之前与粘结剂混合。

16.权利要求1的方法，其中所述原位修饰焦炭选择性去活化序列包括在高于可热分解的有机化合物的分解温度的温度下使所述分子筛与可热分解的有机化合物接触，该有机化合物选自线型石蜡烃，支化石蜡烃，环石蜡烃，线型烯烃，支化烯烃，环烯烃，芳香族化合物，醇，醛，醚，酮，酚，杂环化合物以及它们的混合物。

17.权利要求16的方法，其中所述有机化合物包括烷基取代的苯。

18.权利要求16的方法，其中所述有机化合物包括甲苯或乙基苯。

19.权利要求1或2的方法，其进一步包括以下步骤：

对改性的硅选择性去活化分子筛进行氢汽提。

20.权利要求19的方法，其中所述氢汽提包括在不存在烃原料的条件下使所述改性硅选择性去活化的分子筛与氢气接触。

21.权利要求19的方法，其中所述氢汽提包括在454-510℃范围内的温度和1.72-2.41MPa-g的压力下使所述改性硅选择性去活化的分子筛与氢气在不存在烃原料的条件下接触12-48小时。

22.一种通过前述权利要求中的任一项制备的分子筛。

23.权利要求22的分子筛，其选自ZSM-5、ZSM-11、ZSM-12、ZSM-22、ZSM-23、ZSM-35、ZSM-48、ZSM-50、ZSM-57、ZSM-58、MCM-22、MCM-36、MCM-49、MCM-56、丝光沸石、MCM-58、合成和天然的八面沸石、以及MCM-41中的至少一种。