[发明专利]EUV成像设备

说明书

提出一种EUV成像设备，其包含参考结构(250,400,500)、第一光学元件(215)以及第二光学元件(315)，其中，第一光学元件(215)借助于第一致动器(205)相对参考结构(250,400,500)是可致动的，第一致动器(205)为自保持致动器，第二光学元件(315)借助于第二致动器(300)相对参考结构(250,400,500)是可致动的，第二致动器(300)为非自保持致动器。

相关申请的交叉引用

本申请案基于并主张于2013年6月17日申请的在先德国专利申请第102013211310.2号的优先权权益，通过引用将其整体内容并入本文。

技术领域

本发明涉及一种EUV成像设备，例如包含多个光学元件，特别是反射镜的EUV光刻设备。

背景技术

光刻设备用于例如集成电路(ICs)的生产，用于将在掩模上的掩模图案成像于基板(例如硅晶片)上。在该工艺中，由照明设备产生的光束经由掩模而导向基板。由多个光学元件构成的曝光镜头(exposure lens)用于将光束聚焦于基板上。

能够在晶片上实现的最小结构单元(the smallest structure element)的范围与曝光所使用的光的波长成比例，并与光束成形所使用的光学元件(透镜元件或反射镜)的数值孔径成反比。为了符合更小结构的需求，发展重点在于具有更短波长的光源，此发展结果为波长在5nm与30nm(例如13nm)之间的EUV(极紫外)光源。如此低的波长使得最小结构能够成像在晶片上。由于在此波长范围中的光被大气中的气体所吸收，此EUV光刻设备的光束路径位于高真空中。此外，在上述波长范围中没有足够透明的材料，这是为什么使用反射镜作为光学元件用于成形并引导EUV辐射。小结构尺寸的第二个先决条件(即高数值孔径)表示所使用的反射镜必须非常大且接近晶片的反射镜可具有例如300到500nm或更大的直径。如此大的反射镜必然具有相对大的质量，从而增加了对低变形安装架(low-deformationmount)及致动的要求。

安装或致动光学元件(如光刻设备中的反射镜)的一选择为通过压电致动器来安装。相关示例公开于US2004/0212794A1、EP 1 879 218 A1、以及US2003/0234989A1中.

文件US2004/257549A1描述一种光刻设备、一种投射系统、一种投射方法及一种装置制造方法。投射系统包含至少一个投射装置，其配置为接收来自第一物体的辐射光束并将光束投射到第二物体。投射系统还包含配置为测量至少一个投射装置的空间取向的传感器以及配置为与至少一个传感器通信的处理单元。处理单元系配置为与定位装置通信，定位装置配置为基于至少一个投射装置的测量的空间取向而调整第一物体与第二物体中至少一个的位置。

此外，文件US2004/227107A1显示一种光刻设备及一种制造方法。此外，US2004/227107A1描述在EUV的投射系统中，反射镜的位置相对彼此而测量及控制，而非相对参考系(reference frame)。相对位置测量可由安装在反射镜的刚性延伸物上的干涉仪(interferometer)或电容式传感器完成。

然而，由于定位时不断增加的要求，具有压电致动器的系统已达到其极限。为了符合这些增加的要求，提出了具有洛伦兹致动器(Lorentz actuator)的保持器(holder)或安装架(mount)，其中柱塞线圈(plunger coil)用于作为驱动器以校正光学元件的位置。除了更准确的定位，这种洛伦兹致动器与压电致动器相比具有各种其它优点，例如较低的刚度、对环境影响有较大的耐用性(robustness)及较小的寄生效应(parasitic effect)。然而，经由洛伦兹致动器安装光学元件与系统更大的复杂性有关，因为这是主动安装架(activemount)，其中光学元件的位置连续地校正。

因此，本发明的目的之一为提供一种EUV成像设备，由此可降低设备的复杂性并因而降低生产成本。

发明内容