[发明专利]发光装置在审

专利信息
申请号: 201480034576.8 申请日: 2014-06-16
公开(公告)号: CN105324860A 公开(公告)日: 2016-02-10
发明(设计)人: 大沼宏彰;安藤正尊;增田昌嗣 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50;C09K11/59;C09K11/64;C09K11/80;F21V9/16;F21Y115/10
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吴秋明
地址: 日本国大阪府大阪*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光 装置
【权利要求书】:

1.一种发光装置,其具备:

基板;

配置在所述基板上的布线图案、电极焊盘、密封树脂层、金属丝以及树脂坝;

至少1个发光元件,辐射在430nm以上且480nm以下的波长范围内具有峰值发光波长的光;

绿色荧光体,其由从所述发光元件辐射的1次光来激励,辐射在绿色区域具有峰值发光波长的光;和

第1红色荧光体,其由所述1次光来激励,辐射在红色区域具有峰值发光波长的光,

所述第1红色荧光体在700nm以上的波长范围内不发光,并且在550nm以上且600nm以下的波长范围内没有光吸收。

2.根据权利要求1所述的发光装置,其中,

所述第1红色荧光体包含由通式(A):(M1)2((M2)1-hMnh)F6所表示的4价的锰激活氟化4价金属盐荧光体的至少1个,其中在所述通式(A)中,(M1)表示Li、Na、K、Rb以及Cs中的至少1个碱金属元素,(M2)表示Ge、Si、Sn、Ti以及Zr中的至少1个4价的金属元素,h满足0.001≤h≤0.1。

3.根据权利要求2所述的发光装置,其中,

在所述通式(A)中,(M1)表示K,(M2)表示Si。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的发光装置,其中,

所述发光装置还含有第2红色荧光体,所述第2红色荧光体由所述1次光来激励,辐射在红色区域具有峰值发光波长的光,

所述第2红色荧光体包含(Sr,Ca)AlSiN3:Eu系荧光体、CaAlSiN3:Eu系荧光体、以及由通式(E):(Eua(M7)1-a)xSibAlcOdNe所表示的2价的铕激活氮氧化物荧光体的至少1个,其中在所述通式(E)中,x满足0.15≤x≤1.5,a满足0≤a≤1,b以及c满足b+c=12,d以及e满足d+e=16,(M7)表示Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La以及Gd中的至少1个。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的发光装置,其中,

所述绿色荧光体包含由通式(B):(M3)3-xCex(M4)5O12所表示的荧光体的至少1个,其中在所述通式(B)中,(M3)表示Y、Lu、Gd以及La中的至少1个,(M4)表示Al以及Ga的至少1个,x满足0.005≤x≤0.20。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的发光装置,其中,

所述发光元件是InGaN系LED芯片,

所述发光装置发出白色系的光。

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